vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-116Research ArticleФИЗИКАPHYSICSОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЕМКОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ p-n-ПЕРЕХОДОВ В РЕЖИМЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯNEGATIVE HIGH-FREQUENCY CAPACITANCE OF ELECTRON-IRRADIATED p-n –TRANSITIONS IN THE AVALANCHE BREAKDOWN MODEКоршуновФ. П.KorshunovF. P.ЖдановичН. Е.JdanovichN. E.ГуриновичВ. А.GurinovichV. A.Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Minsk2014190520160397101Copyright © Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Гуринович В.А., 20162016Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Гуринович В.А.Korshunov F.P., Jdanovich N.E., Gurinovich V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/116

Впервые проведены исследования отрицательной высокочастотной (ƒ= 1 МГц) емкости в облученных быстрыми электронами стабилитронах в режиме пробоя. Установлено, что появление участка отрицательной емкости на температурной зависимости емкости сопровождается появлением максимума проводимости на аналогичной зависимости проводимости от температуры. Сделано предположение, что данный эффект обусловлен влиянием центров прилипания на процесс перезарядки глубоких уровней во всей области пространственного заряда.

The high-frequency (ƒ= 1 MHz) negative capacitance of avalanche diodes irradiated with fast electrons in the breakdown mode has been studied for the first time. It is found that the appearance of a negative capacitance area on the curve for temperature-dependent capacitance is accompanied by a conductivity maximum on a similar curve for temperature-dependent conductivity. It is suggested that this effect is due to the influence of trapping centers on the process of recharging deep levels in the entire space-charge region.

ReferencesWerner J., Levi A. F. J., Tung R. T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 60 (1). P. 53-56.Werner J., Levi A. F. J., Tung R. T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 60 (1). P. 53-56.ErshovM, Liu H. C, LiL. et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. Vol. 45 (10). P. 2196-2206.ErshovM, Liu H. C, LiL. et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. Vol. 45 (10). P. 2196-2206.Beale M, Mackay P. // Phil. Mag. B. 1992. Vol. 65 (1). P. 47-64.Beale M, Mackay P. // Phil. Mag. B. 1992. Vol. 65 (1). P. 47-64.Omura I, Ohashi H, Fichtner W. // IEEE Electron Dev. Lett. 1997. Vol. 18 (12). P. 622-624.Omura I, Ohashi H, Fichtner W. // IEEE Electron Dev. Lett. 1997. Vol. 18 (12). P. 622-624.Noguchi T., KitagawaM., Taniguchi I. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. Vol. 19 (7). P. 1423-1424.Noguchi T., KitagawaM., Taniguchi I. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. Vol. 19 (7). P. 1423-1424.Абдуллаев Г. Б., Искендерзаде З. А., Джафарова Э. А. // Радиоэлектроника. 1965. Т. 10 (4). С. 776-779.Абдуллаев Г. Б., Искендерзаде З. А., Джафарова Э. А. // Радиоэлектроника. 1965. Т. 10 (4). С. 776-779.Синица С. П. // Радиоэлектроника. 1957. Т. 2. С. 1427-1429.Синица С. П. // Радиоэлектроника. 1957. Т. 2. С. 1427-1429.McPherson M. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 2002. Vol. 488. P. 100-109.McPherson M. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 2002. Vol. 488. P. 100-109.Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, вып. 7. С. 824-828.Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, вып. 7. С. 824-828.Коршунов Ф. П., Марченко И. Г. // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 12. С. 2201-2204.Коршунов Ф. П., Марченко И. Г. // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 12. С. 2201-2204.Грехов И. В., Серёжкин Ю. Н. // Лавинный пробойр-п-перехода в полупроводниках. Л., 1980. С. 74-76.Грехов И. В., Серёжкин Ю. Н. // Лавинный пробойр-п-перехода в полупроводниках. Л., 1980. С. 74-76.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.