vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-143Research ArticleФИЗИКАPHYSICSМАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СПЛАВОВ MnNi1_xFexGe (0,10 ≤ х ≤0,25)MAGNETIC CHARACTERISTICS OF MnNi1_xFexGe (0,10 ≤ х ≤0,25) ALLOYSТкаченкоТ. М.TkachenkaT. M.ГончаровВ. С.GoncharovV. S.Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Minsk201419052016048386Copyright © Ткаченко Т.М., Гончаров В.С., 20162016Ткаченко Т.М., Гончаров В.С.Tkachenka T.M., Goncharov V.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/143

В работе исследованы магнитные характеристики сплавов MnNilxFexGe в области составов 0,10 ≤х ≤0,25. Показано, что образцы всех изученных составов при комнатной температуре относятся к ферромагнетикам со структурой типа Ni2In. При увеличении содержания железа от х = 0,10 до х < 0,20 происходит процесс стати¬стического замещения марганца в обоих типах структурных позиций MeI и MeII в MnNi1_xFexGe. При х ≥ 0,20 железо замещает марганец только в позициях MeI и не замещает никель в позициях MeII.

Magnetic characteristics of MnNi1_xFexGe alloys are studied in the concentration region 0,10 ≤ х ≤0,25. It is shown that all samples under study are ferromagnetics at room temperature and have the Ni2In-type of the crystal structure. At х < 0.20, Fe atoms statistically substitute Mn atoms in Me I and Me II positions of MnNi1_xFexGe. At х ≥ 0.20, Fe atoms replace only Mn in Me I positions and do not replace Ni in Me II positions.

В. И. Вальков, зав. отделом Донецкого физико-технического институтаReferencesBruck E. Н., Tegusi O., Boer F. R. Material for magnetic refrigeration preparation and application. US Patent. 2004. 7069729 B2.Bruck E. Н., Tegusi O., Boer F. R. Material for magnetic refrigeration preparation and application. US Patent. 2004. 7069729 B2.Liu E., Wang W., FengL. et al. // Nat. Communic. 2012. Vol. 3. P. 873.Liu E., Wang W., FengL. et al. // Nat. Communic. 2012. Vol. 3. P. 873.Chen L, Ни F. X, Wang J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. P. 012401.Chen L, Ни F. X, Wang J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. P. 012401.Ma S. C, Xuan Н. C, Zhang C. L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 052506.Ma S. C, Xuan Н. C, Zhang C. L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 052506.Szytula A., Pqdziwiatr A. T., Tomkowicz Z. et al. // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1981. Vol. 25. P. 176-186.Szytula A., Pqdziwiatr A. T., Tomkowicz Z. et al. // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1981. Vol. 25. P. 176-186.Murthy M. R. L. N., NateraM. G., Begum R. J. et al. // Proc. Nucl. Phys. and Solid State Physics: Symp. Bombay, 1972. P. 513.Murthy M. R. L. N., NateraM. G., Begum R. J. et al. // Proc. Nucl. Phys. and Solid State Physics: Symp. Bombay, 1972. P. 513.Zhang C. L., WangD. Н., Chen J. et al. // Chin. Phys. B. 2011. Vol. 20. P. 097501-1-097501-4.Zhang C. L., WangD. Н., Chen J. et al. // Chin. Phys. B. 2011. Vol. 20. P. 097501-1-097501-4.Zhang C. L., WangD. Н., Cao Q. Q. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43. P. 205003.Zhang C. L., WangD. Н., Cao Q. Q. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43. P. 205003.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.