vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-154Research ArticleФИЗИКАPHYSICSМАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ Mn0,55V0,45SMAGNETORESISTANCE AND HALL EFFECT IN Mn0.5SV0 4SS SOLID SOLUTIONАплеснинС. С.AplesninS. S.ДемиденкоО. Ф.DemidenkoO. F.МаковецкийГ. И.MakovetskiiG. I.РомановаО. Б.RomanovaO. B.РябинкинаЛ. И.RyabinkinaL. I.ЯнушкевичК. И.YanushkevichK. I.Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, КрасноярскKirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, KrasnoyarskНаучно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Minsk20142005201604103107Copyright © Аплеснин С.С., Демиденко О.Ф., Маковецкий Г.И., Романова О.Б., Рябинкина Л.И., Янушкевич К.И., 20162016Аплеснин С.С., Демиденко О.Ф., Маковецкий Г.И., Романова О.Б., Рябинкина Л.И., Янушкевич К.И.Aplesnin S.S., Demidenko O.F., Makovetskii G.I., Romanova O.B., Ryabinkina L.I., Yanushkevich K.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/154

В интервале температур 80-300 К и магнитных полях с индукцией до 2,1 Тл изучены особенности магнито¬резистивных свойств и эффекта Холла твердого раствора Mn0,55V0,45S. Установлено, что состав Mn0,55V0,45S является полупроводником с высокими значениями концентрации носителей заряда р-типа и низкими величинами их подвижности; обладает магниторезистивным эффектом; имеет неколлинеарную антиферромагнитную структуру в области температур Т < ТN = 130 К; в окрестности температуры Т ~ 180 К в Mn0 55V0 45S имеет место фазовое превращение типа полупроводник-полуметалл, обусловленное делокализацией носителей заряда и образованием микрообластей с ферромагнитным упорядочением в антиферромагнитной матрице. Магниторезистивный эффект в этом случае, вероятнее всего, обусловлен магнитной неоднородностью и может быть проинтерпретирован в рамках модели электронного и магнитного разделения фаз, согласующейся с теорией протекания тока в сильно легированных полупроводниках.

In the 80-300 K temperature range and magnetic fields with induction of up to 2.1 T are studied the characteristics of magnetoresistive properties and Hall effect of Mn0,55V0,45S solid solution. It was found that the Mn0,55V0,45S composition is a semiconductor with high p-type carrier concentration and low values of their mobility; a magnetoresistive effect is observed; solid solution has a noncollinear antiferromagnetic structure at temperatures ranges T < TN = 130 K; in the vicinity of the temperature T ~ 180 K in Mn0,55V0,45S there is a phase transition of semiconductor-semimetal type due to delocalization of charge carriers and the formation of micro areas with ferromagnetic ordering in an antiferromagnetic matrix. Magnetoresistive effect in this case, most likely is due to the magnetic inhomogeneity and can be interpreted in the framework of the electronic and magnetic phase separation consistent with the theory of current flow in heavily doped semiconductors.

РФФИ – БРФФИReferencesПетраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. С. 895; Петраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. С. 99.Петраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. С. 895; Петраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. С. 99.Рябинкина Л. И., Романова О. Б., Аплеснин С. С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2008. Т. 8. С. 1115.Рябинкина Л. И., Романова О. Б., Аплеснин С. С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2008. Т. 8. С. 1115.Аплеснин С. С., Рябинкина Л. И., Романова О. Б. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. С. 875.Аплеснин С. С., Рябинкина Л. И., Романова О. Б. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. С. 875.Мотт н. Ф. Переходы металл-изолятор. М., 1979.Мотт н. Ф. Переходы металл-изолятор. М., 1979.нагаев Э. Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833.нагаев Э. Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833.Petrakovskii G. A., Loseva G. V., RyabinkinaL. I., Aplesnin S. S. // JMMM. 1995. Vol. 147. P. 140-144.Petrakovskii G. A., Loseva G. V., RyabinkinaL. I., Aplesnin S. S. // JMMM. 1995. Vol. 147. P. 140-144.Ведяев А. В. // УФН. 2002. Т. 172. С. 1458.Ведяев А. В. // УФН. 2002. Т. 172. С. 1458.Аплеснин С. С. Основы спинтроники. Красноярск, 2007.Аплеснин С. С. Основы спинтроники. Красноярск, 2007.Петраковский Г. А., Лосева Г. В., Рябинкина Л. И. и др. // ФТТ. 1996. № 38. С. 2131.Петраковский Г. А., Лосева Г. В., Рябинкина Л. И. и др. // ФТТ. 1996. № 38. С. 2131.Лосева Г. В., Рябинкина Л. И., Аплеснин С. С. и др. // ФТТ. 1997. № 39. С. 1428.Лосева Г. В., Рябинкина Л. И., Аплеснин С. С. и др. // ФТТ. 1997. № 39. С. 1428.BurletP. Le titre de docteure’es-sciences physiques. Universite de Grenoble, 1968.BurletP. Le titre de docteure’es-sciences physiques. Universite de Grenoble, 1968.Янушкевич К. И. Твердые растворы монохалькогенидов 3^-металлов. Минск, 2009.Янушкевич К. И. Твердые растворы монохалькогенидов 3^-металлов. Минск, 2009.Heikens Н. Н., Wiegers G. A., Bruggen c. F. van // Solid State Commun. 1977. Vol. 24. P. 205.Heikens Н. Н., Wiegers G. A., Bruggen c. F. van // Solid State Commun. 1977. Vol. 24. P. 205.Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979.Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.