vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-161Research ArticleФИЗИКАPHYSICSВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИEFFECT OF ELECTRON RADIATION ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THE p-n-STRUCTURES BASED ON NUCLEAR-DOPED SILICONКоршуновФ. П.KorshunovF. P.korshunov@ifttp.bas-net.byЖдановичН. Е.ZhdanovichN. E.jdan@ifttp.bas-net.byГуриновичВ. А.GurinovichV. A.gurinovich@ifttp.bas-net.byЛукшаС. В.LukshaS. V.gurinovich@ifttp.bas-net.byНаучно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Minsk201520052016048286Copyright © Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Гуринович В.А., Лукша С.В., 20162016Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Гуринович В.А., Лукша С.В.Korshunov F.P., Zhdanovich N.E., Gurinovich V.A., Luksha S.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/161

В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур. 

The article studies the effect of electron radiation with energy of 4 MeV on the characteristics of high-voltage (4.5 kV) silicon diode p-n-structures based on nuclear-doped silicon. During the research the dose dependences of the correlations between the static and dynamic characteristics of the p-n structures were built, and the radiation damage coefficient of minority carrier lifetime Kτ was determined. Using the DLTS-spectroscopy method, the formation in the band-gap of basic n-Si of six energy levels of radiation defects affecting the characteristics of irradiated p-n-structures was determined. 

электронное облучениевысоковольтные диодные p-n-структурыстатические и динамические характеристикиэнергетические уровниelectron irradiationhigh-voltage diode p-n-structurestatic and dynamic characteristicsenergy levelsБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (проект № Ф14-124).ReferencesКоршунов, Ф. П. Влияние электронного облучения на характеристики эпитаксиальных кремниевых p-n-структур / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, П. М. Гурин // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фіз.-мат. навук. – 2007. – № 3. – С. 92–95.Коршунов, Ф. П. Влияние электронного облучения на характеристики эпитаксиальных кремниевых p-n-структур / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, П. М. Гурин // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фіз.-мат. навук. – 2007. – № 3. – С. 92–95.Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986.Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986.Lox, B. Transient response of p-n-junction / B. Lox, S. T. Newstadter // J. Appl. Phys. – 1954. – Vol. 25. – P. 1148–1154.Lox, B. Transient response of p-n-junction / B. Lox, S. T. Newstadter // J. Appl. Phys. – 1954. – Vol. 25. – P. 1148–1154.Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Сов. радио, 1971.Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Сов. радио, 1971.Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989.Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989.Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978.Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.