vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86vestifm-705Research ArticleФИЗИКАPHYSICSТемпературная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystalsБоднарьИ. В.BodnarI. V.

Боднарь Иван Васильевич – доктор химических наук, профессор кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск

Ivan V. Bodnar – Dr. Sc. (Chemistry), Professor of the Department of Information and Computer Systems Design

6, P. Brovka Str., 220013, Minsk

chemzav@bsuir.byФещенкоА. А.FeshchankaA. A.

Фещенко Артем Александрович – кандидат технических наук, доцент кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск

Artsiom A. Feshchanka – Ph. D. (Engineering), As- sociate Professor of the Department of Information and Computer Systems Design

6, P. Brovka Str., 220013, Minsk

faa@bsuir.byХорошкоВ. В.KhoroshkoV. V.

Хорошко Виталий Викторович – кандидат технических наук, заведующий кафедрой проектирования информационно-компьютерных систем

ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск

Vitaliy V. Khoroshko – Ph. D. (Engineering), Head of the Department of Information and Computer Systems Design

6, P. Brovka Str., 220013, Minsk

Khoroshko@bsuir.byПавловскийВ. Н.PavlovskyV. N.

Павловский Вячеслав Николаевич – кандидат физико-математических наук, доцент, ведущий научный сотрудник

пр. Независимости, 68-2, 220072, Минск

Vyacheslav N. Pavlovsky – Ph. D. (Physics and Mathe- matics), Associate Professor, Leading Researcher

68-2, Nezavisimosti Ave., 220072, Minsk

СвитенковИ. Е.SvitenkovI. E.

Свитенков Илья Евгеньевич – научный сотрудник

пр. Независимости, 68-2, 220072, Минск

Ilya E. Svitenkov – Researcher

68-2, Nezavisimosti Ave., 220072, Minsk

ЯблонскийГ. П.YablonskiiG. P.

Яблонский Геннадий Петрович – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий центром

пр. Независимости, 68-2, 220072, Минск

Gennady P. Yablonskii – Dr. Sc. (Physics and Mathe- matics), Professor

68-2, Nezavisimosti Ave., 220072, Minsk

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and RadioelectronicsИнститут физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук БеларусиB. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Belarus2023030420235918186Copyright © Боднарь И.В., Фещенко А.А., Хорошко В.В., Павловский В.Н., Свитенков И.Е., Яблонский Г.П., 20232023Боднарь И.В., Фещенко А.А., Хорошко В.В., Павловский В.Н., Свитенков И.Е., Яблонский Г.П.Bodnar I.V., Feshchanka A.A., Khoroshko V.V., Pavlovsky V.N., Svitenkov I.E., Yablonskii G.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/705

Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

AgIn7S11 single crystals are herein grown by the vertical Bridgman method. The composition of the obtained single crystals is determined by X-ray microprobe analysis as well as the crystal structure – by X-ray diffraction analysis. It is shown that the obtained single crystals are crystallized in the cubic spinel structure. Using transmission spectra in the tem- perature range 10–320 K we determined the band gap of these single crystals and plotted its temperature dependence. This dependence is similar to that of the majority of semiconductor materials, namely, Eg increases with decreasing the tempera- ture. We showed the agreement of the calculated and experimental values.

метод Бриджменамонокристаллыкристаллическая структураспектры пропусканияширина запрещенной зоныBridgman methodsingle crystalscrystalline structuretransmission spectraband gapReferencesChopra K., Das S. Thin Film Solar Cells. New York, Springer, 1983. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-0418-8Chopra K., Das S. Thin Film Solar Cells. New York, Springer, 1983. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-0418-8Coutts T., Meakin J. (eds.). Current topics in photovoltaics. London, Academic Press, 1985.Coutts T., Meakin J. (eds.). Current topics in photovoltaics. London, Academic Press, 1985.Mitchel K., Eberspacher C., Ermer J., Pier D. Single and tandem junction CuInSe2 cell and module technology. Conference Record of the Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. New York, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1988, vol. 2, pp. 1384–1388. https://doi.org/10.1109/pvsc.1988.105935Mitchel K., Eberspacher C., Ermer J., Pier D. Single and tandem junction CuInSe2 cell and module technology. Conference Record of the Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. New York, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1988, vol. 2, pp. 1384–1388. https://doi.org/10.1109/pvsc.1988.105935Wei Chen, Bovin J.-O., Joly A. G., Shaopeng Wang, Fuhai Su, Guohua Li. Full-Color Emission from In2S3 and In2S3:Eu3+ Nanoparticles. The Journal of Physical Chemistry B, 2004, vol. 108. no. 32, pp. 11927–11934. https://doi.org/10.1021/jp048107mWei Chen, Bovin J.-O., Joly A. G., Shaopeng Wang, Fuhai Su, Guohua Li. Full-Color Emission from In2S3 and In2S3:Eu3+ Nanoparticles. The Journal of Physical Chemistry B, 2004, vol. 108. no. 32, pp. 11927–11934. https://doi.org/10.1021/jp048107mSebentritt S. Alternative buffers for chalcopyrite solar cells. Solar Energy, 2004, vol. 77, no. 7, pp. 767–775. https://doi.org/10.1016/j.solener.2004.06.018Sebentritt S. Alternative buffers for chalcopyrite solar cells. Solar Energy, 2004, vol. 77, no. 7, pp. 767–775. https://doi.org/10.1016/j.solener.2004.06.018Asenjo B., Chaparro A. M., Gutierrez M. T., Herrero J., Klaer J. Influence of In2S3 film properties on the behavior of CuInS2/In2S3/ZnO type solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005, vol. 87, no. 1–4, pp. 647–656. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2004.07.043Asenjo B., Chaparro A. M., Gutierrez M. T., Herrero J., Klaer J. Influence of In2S3 film properties on the behavior of CuInS2/In2S3/ZnO type solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005, vol. 87, no. 1–4, pp. 647–656. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2004.07.043Schulmeyer T., Klein A., Kniese R., Powalla M. Band offset at the CuGaSe2/In2S3 heterointerface. Applied Physics Letters, 2004, vol. 85, no. 6, pp. 961–963. https://doi.org/10.1063/1.1779340Schulmeyer T., Klein A., Kniese R., Powalla M. Band offset at the CuGaSe2/In2S3 heterointerface. Applied Physics Letters, 2004, vol. 85, no. 6, pp. 961–963. https://doi.org/10.1063/1.1779340Bodnarʼ I. V., Kudritskaya E. A., Polushina I. K., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Physical properties of CuxAg1−x In5S8 single crystals and related surface-barrier structures. Semiconductors, 1998, vol. 32, no. 9, pp. 933–936. https://doi.org/10.1063/1.1779340Bodnarʼ I. V., Kudritskaya E. A., Polushina I. K., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Physical properties of CuxAg1−x In5S8 single crystals and related surface-barrier structures. Semiconductors, 1998, vol. 32, no. 9, pp. 933–936. https://doi.org/10.1063/1.1779340Bodnarʼ I. V., Gremenok V. F., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Production and investigation of AgIn5S8/(InSe, GaSe) heterojunctions. Semiconductors, 1999, vol. 33, no. 7, pp. 805–809. https://doi.org/10.1134/1.1187773Bodnarʼ I. V., Gremenok V. F., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Production and investigation of AgIn5S8/(InSe, GaSe) heterojunctions. Semiconductors, 1999, vol. 33, no. 7, pp. 805–809. https://doi.org/10.1134/1.1187773Bodnar I. V., Victorov I. A., Dabranski V. M., Osipova M. A. Solid solutions in In2S3–MnIn2S4 system. Physica Status Solidi C, 2009, vol. 6, no. 5, pp. 11301132. https://doi.org/10.1002/pssc.200881228Bodnar I. V., Victorov I. A., Dabranski V. M., Osipova M. A. Solid solutions in In2S3–MnIn2S4 system. Physica Status Solidi C, 2009, vol. 6, no. 5, pp. 11301132. https://doi.org/10.1002/pssc.200881228Bodnar I. V., Tran Binh Than. Investigation of the MnIn2S4–AgIn5S8 system. Doklady BGUIR, 2018, vol. 111, no. 1, pp. 57–64 (in Russian).Bodnar I. V., Tran Binh Than. Investigation of the MnIn2S4–AgIn5S8 system. Doklady BGUIR, 2018, vol. 111, no. 1, pp. 57–64 (in Russian).Ukhanov Yu. I. Optical Properties of Semiconductors. Moscow, Nauka Publ., 1977. 368 p. (in Russian).Ukhanov Yu. I. Optical Properties of Semiconductors. Moscow, Nauka Publ., 1977. 368 p. (in Russian).Rembeza S. I. Methods for Measuring the Main Parameters of Semiconductors. Voronezh, VSU Publ., 1989. 221 p. (in Russian).Rembeza S. I. Methods for Measuring the Main Parameters of Semiconductors. Voronezh, VSU Publ., 1989. 221 p. (in Russian).Willardson R., Beer A. C. (eds.) Semiconductors and semimetals. New York, Academic Press, 1966.Willardson R., Beer A. C. (eds.) Semiconductors and semimetals. New York, Academic Press, 1966.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.