vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-74Research ArticleФИЗИКАPHYSICSОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Сих1пхZп2-2хSе2 ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВCuxInxZn2_2xSe2 ABSORBER LAYER CHARACTERISTICS OPTIMIZATION FOR THIN-FILM SOLAR CELLSХорошкоВ. В.KhoroshkoV. V.ЦырельчукИ. Н.TsyrelchukI. N.ГременокВ. Ф.GremenokV. F.ЗалесскийВ. Б.ZalesskiV. B.ХодинА. А.KhodinA. A.Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, МинскBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics, MinskНаучно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, MinskИнститут физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, МинскB. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Belarus, Minsk201417052016028893Copyright © Хорошко В.В., Цырельчук И.Н., Гременок В.Ф., Залесский В.Б., Ходин А.А., 20162016Хорошко В.В., Цырельчук И.Н., Гременок В.Ф., Залесский В.Б., Ходин А.А.Khoroshko V.V., Tsyrelchuk I.N., Gremenok V.F., Zalesski V.B., Khodin A.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/74

В статье проводится моделирование влияния основных параметров поглощающего слоя Сuх1nхZn2-2хSе2 на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев Сuх1nхZn2-2хSе2.

 

The influence of the physical parameters of CuxInxZn2—2xSe2 films on the characteristics of Mo/CuxInxZn2—2xSe2/CdS/ZnO thin-film solar cells were investigated. The model developed is based on one-dimensional drift-diffusion approach using the Poisson’s equation and continuity equations for electrons and holes. It taking into accounts the buffer layer effect, zone bending and recombination at grain boundaries and other defects.

References1997 Annual Report. UNSW Photovoltaic Special Research Centre, University of New South Wales, Sidney, Australia, 1997.1997 Annual Report. UNSW Photovoltaic Special Research Centre, University of New South Wales, Sidney, Australia, 1997.Datasheet // Stion Corporation [Electronic resource]. 2013. Mode of access: http:// www. stion. com/wp-content/uploads/ 2013/02/300—003—000-Rev-B_Product-Data-Sheet-STN-Module-125—140—1. pdf. — Date of access: 02.10.2013.Datasheet // Stion Corporation [Electronic resource]. 2013. Mode of access: http:// www. stion. com/wp-content/uploads/ 2013/02/300—003—000-Rev-B_Product-Data-Sheet-STN-Module-125—140—1. pdf. — Date of access: 02.10.2013.Goodrich A., Woodhouse M., Noufi R. et al. // 35rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. San Diego, California, 2011. P. 45—50.Goodrich A., Woodhouse M., Noufi R. et al. // 35rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. San Diego, California, 2011. P. 45—50.Rud Yu. V., Gremenok V F, Rud V Yu. et al. // Phys. Stat. Sol (a). 2001. Vol. 188, N 3. P. 1077—1085.Rud Yu. V., Gremenok V F, Rud V Yu. et al. // Phys. Stat. Sol (a). 2001. Vol. 188, N 3. P. 1077—1085.Durante C. A., Wasim S. M., HernandezE. // Cryst. Res. Technol. 1996. Vol. 31, special iss. 2. P. 241—246.Durante C. A., Wasim S. M., HernandezE. // Cryst. Res. Technol. 1996. Vol. 31, special iss. 2. P. 241—246.Цырельчук И. Н., Хорошко В. В., Гременок В. Ф., Мишуто В. А. // Проблемы физики, математики и техники. 2013. № 1 (14). С. 33—36.Цырельчук И. Н., Хорошко В. В., Гременок В. Ф., Мишуто В. А. // Проблемы физики, математики и техники. 2013. № 1 (14). С. 33—36.Mullan C. A., YakushevM. V., Kiely C. J. et al. // Phil. Mag. A. 1996. Vol. 73, N 8. P. 1131—1145.Mullan C. A., YakushevM. V., Kiely C. J. et al. // Phil. Mag. A. 1996. Vol. 73, N 8. P. 1131—1145.Yakushev M. V., Tashlykov I. S., Tomlinson R. D. et al. // Material Science Forum. 1997. Vol. 171. P. 248—249.Yakushev M. V., Tashlykov I. S., Tomlinson R. D. et al. // Material Science Forum. 1997. Vol. 171. P. 248—249.Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Гременок В. Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. T. 39, вып. 9. С. 1070—1074.Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Гременок В. Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. T. 39, вып. 9. С. 1070—1074.Гременок В. Ф., Тиванов М. С., Залесский В. Б. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов. Минск, 2007.Гременок В. Ф., Тиванов М. С., Залесский В. Б. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов. Минск, 2007.Ward J. S., Ramanathan K., Hasoon F. S. et al. // Progress in Photovoltaics: Researchand Application. 2012. Vol. 10. P. 41—46.Ward J. S., Ramanathan K., Hasoon F. S. et al. // Progress in Photovoltaics: Researchand Application. 2012. Vol. 10. P. 41—46.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.