vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-75Research ArticleФИЗИКАPHYSICSСТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕКSTRUCTURAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF Ge/Si NANOLAYERS WITH SPATIALY ORDERED GROUPS OF QUAUTUM DOTSМудрыйА. В.MudryiA. V.МофиднахаиФ.MofidnakhaiF.ЖивулькоВ. Д.ZhivulkoV. D.ЗиновьевВ. А.ZinovyevV. A.ДвуреченскийА. В.DvurechenskiiA. V.КучинскаяП. А.KuchinskajaP. A.СмагинаЖ. В.SmaginaZh. V.Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, МинскScientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, MinskИнститут физики полупроводников имени А. В. Ржанова, НовосибирскRzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk2014170520160294100Copyright © Мудрый А.В., Мофиднахаи Ф., Живулько В.Д., Зиновьев В.А., Двуреченский А.В., Кучинская П.А., Смагина Ж.В., 20162016Мудрый А.В., Мофиднахаи Ф., Живулько В.Д., Зиновьев В.А., Двуреченский А.В., Кучинская П.А., Смагина Ж.В.Mudryi A.V., Mofidnakhai F., Zhivulko V.D., Zinovyev V.A., Dvurechenskii A.V., Kuchinskaja P.A., Smagina Z.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/75

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.

Ge/Si nanostructures with closely spaced and interacting Ge quantum dots were grown by molecular beam epitaxy. It was found that the GeSi quantum rings with closely spaced Ge quantum dots can be formed by choosing suitable deposition rate and temperature of Ge. The unit cell parameters and Ge concentration in Ge/Si nanostructures were determined by the X-ray diffraction method. Intense luminescence bands caused by radiative recombination of excitons from both the Ge wetting layers and Ge quantum dots were found in photoluminescence spectra at 4.2 K.

Белорусский РФФИReferencesZinovyev V. A., Dvurechenskii A. V., Kuchinskya P. A., Armbrister V. A. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111, N 26. P. 265501-1-265501-5.Zinovyev V. A., Dvurechenskii A. V., Kuchinskya P. A., Armbrister V. A. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111, N 26. P. 265501-1-265501-5.ChaisakulP., Marris-Morini D, Issella G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99, N 14. P. 141106-1-141106-3.ChaisakulP., Marris-Morini D, Issella G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99, N 14. P. 141106-1-141106-3.Двуреченский А. В., Якимов А. И. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73, № 1. С. 71-75.Двуреченский А. В., Якимов А. И. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73, № 1. С. 71-75.GattiE., GrilliE., GuzziM. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 93, N 3. P. 031106-1-031106-3.GattiE., GrilliE., GuzziM. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 93, N 3. P. 031106-1-031106-3.LiangD., Bewers J. E. // Nature Photonics. 2010. Vol. 4, N 8. P. 511-517.LiangD., Bewers J. E. // Nature Photonics. 2010. Vol. 4, N 8. P. 511-517.Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Кудрявцев К. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 11. С. 1448-1452.Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Кудрявцев К. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 11. С. 1448-1452.Кучинская П. А., Зиновьев В. А., Ненашев А. В. и др. // Изв. вузов. Сер. Материалы электрон. техники. 2011. № 4. С. 42-46.Кучинская П. А., Зиновьев В. А., Ненашев А. В. и др. // Изв. вузов. Сер. Материалы электрон. техники. 2011. № 4. С. 42-46.Зиновьев В. А., Двуреченский А. В., Кучинская П. А. и др. // Автометрия. 2013. Т. 49, № 5. С. 6-12.Зиновьев В. А., Двуреченский А. В., Кучинская П. А. и др. // Автометрия. 2013. Т. 49, № 5. С. 6-12.Kiravittaya S., Rastelli A., Schmidt O. G. // Rep. Prog. Phys. 2009. Vol. 72, N 4. P. 046502-1-046502-17.Kiravittaya S., Rastelli A., Schmidt O. G. // Rep. Prog. Phys. 2009. Vol. 72, N 4. P. 046502-1-046502-17.Yakimov A. I., Bloshkin A. A., Dvurechenskii A. V. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81, N 11. P. 115434-1-115434-7.Yakimov A. I., Bloshkin A. A., Dvurechenskii A. V. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81, N 11. P. 115434-1-115434-7.Hartmann J. M., Gallas B., Zhang J., Harris J. J. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. 370-77.Hartmann J. M., Gallas B., Zhang J., Harris J. J. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. 370-77.Мудрый А. В., Мофиднахаи Ф., Короткий А. В. и др. // Приборы и методы измерений. 2012. Т. 1, № 4. С. 44-50.Мудрый А. В., Мофиднахаи Ф., Короткий А. В. и др. // Приборы и методы измерений. 2012. Т. 1, № 4. С. 44-50.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.