vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"10.29235/1561-2430-2025-61-1-34-46vestifm-824Research ArticleФИЗИКАPHYSICSЕмкостная спектроскопия электронных состояний на границе раздела SiO2/n-Si в облученных ионами гелия МОП-структурахCapacitance spectroscopy of electro nic states at the SiO2/n-Si interface in MOS structures irradiated with helium ionshttps://orcid.org/0000-0002-9396-8146ГорбачукН. И.GorbachukN. I.

Горбачук Николай Иванович – кандидат физико-математических наук, доцент

пр. Независимости, 4, 220030, Минск

Nikolay I. Gorbachuk – Ph. D. (Physics and Mathematics), Associate Professor

4, Nezavisimosti Ave., 220030, Minsk

gorbachuk@bsu.byЕрмаковаЕ. А.ErmakovaK. A.

Ермакова Екатерина Александровна – магистрант

пр. Независимости, 4, 220030, Минск

Katerina A. Ermakova – Master Student

4, Nezavisimosti Ave., 220030, Minsk

ermakova.7003@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0002-0799-6950ПоклонскийН. А.PoklonskiN. A.

Поклонский Николай Александрович – член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор

пр. Независимости, 4, 220030, Минск

Nikolai A. Poklonski – Corresponding Member of the National Academy of Sciences of Belarus, Dr. Sc. (Physics and Mathematics), Professor

4, Nezavisimosti Ave., 220030, Minsk

poklonski@bsu.byШпаковскийС. В.ShpakovskiS. V.

Шпаковский Сергей Васильевич – кандидат физико-математических наук, начальник отделения

ул. Казинца 121а, 220108, Минск

Sergey V. Shpakovski – Ph. D. (Physics and Mathema tics), Head of Department

121а, Kazinets Str., 220108, Minsk

SShpakovskiy@integral.byБелорусский государственный университетBelarusian State UniversityОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»JSC “INTEGRAL” – Holding Management Company “INTEGRAL”2025260320256113446Copyright © Горбачук Н.И., Ермакова Е.А., Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., 20252025Горбачук Н.И., Ермакова Е.А., Поклонский Н.А., Шпаковский С.В.Gorbachuk N.I., Ermakova K.A., Poklonski N.A., Shpakovski S.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/824

Исследовались МОП-структуры Al/SiO2/n-Si/Al, изготовленные на пластинах (100) монокристаллического кремния n-типа проводимости, выращенного методом Чохральского. Удельное электрическое сопротивление кремния – 4,5 Ом · см при комнатной температуре. Толщина термически сформированного в сухом кислороде слоя SiO2 – 420 нм. Толщина осажденного поверх SiO2 слоя алюминия – 0,7 мкм. Площадь алюминиевой металлизации – 1,85 × 1,85 мм2. При комнатной температуре структуры облучались ионами гелия (кинетическая энергия одного иона 5 МэВ). Флюенс облучения варьировался от 1010 до 1013 см−2. По выполненным в программе SRIM расчетам средний проективный пробег иона гелия в структуре составлял ≈ 24 мкм. Измерения модуля импеданса Z и угла сдвига фаз φ между током и напряжением выполнялись в диапазоне частот от 20 Гц до 2 МГц на измерителе LCR E4980A. Амплитуда сигнала – 40 мВ. Постоянное напряжение смещения U изменялось в пределах от –40 до 40 В. МОП-структуры находились в темноте при комнатной температуре. Спектры DLTS регистрировались с помощью емкостного спектрометра СЕ-7С в диапазоне температур 80–300 К. Значения напряжения импульсов заполнения Up ловушек электронами c-зоны и эмиссии Ue электронов из ловушек в c-зону n-Si изменялись в интервале от −0,5 до −9 В. Длительность импульса заполнения ловушек электронами составляла tp = 0,75 мс, а эмиссии электронов из ловушек – te = 20 мс. Установлено, что для облученных ионами гелия флюенсами ≤1012 см−2 структур Al/SiO2/n-Si/Al зависимость емкости от частоты в режиме обеднения определяется перезарядкой поверхностных электронных состояний на границе раздела SiO2/n-Si. Показано, что в исходных структурах для быстрых (время перезарядки менее 1 мкс) поверхностных состояний зависимость энергетической плотности состояний Nss от потенциальной энергии eψ электрона в n-Si вблизи границы раздела SiO2/n-Si имеет максимум при eψ ≈ EF – 0,1 эВ (здесь e – элементарный заряд, ψ – электрический потенциал, EF – уровень Ферми). Этот максимум после облучения ионами гелия флюенсом 1012 см−2 сдвигается в сторону меньших энергий вплоть до eψ ≈ EF – 0,2 эВ. В облученных структурах на зависимости Nss(eψ) появляется второй максимум в области eψ > 0. Для флюенса облучения 1012 см−2 максимум расположен при eψ ≈ EF + 0,1 эВ. Показана возможность исследования поверхностных состояний методом спектроскопии DLTS в выделенном энергетическом интервале путем варьирования напряжения эмиссии Ue при постоянном значении напряжения заполнения Up и/или варьирования напряжения заполнения Up при постоянном значении напряжения эмиссии Ue.

Al/SiO2/n-Si/Al MOS structures fabricated on (100) wafers of single-crystal n-type silicon grown with the Czochralski method were studied. The electrical resistivity of silicon was 4.5 Ohm · cm at room temperature. The thickness of the SiO2 layer thermally formed in dry oxygen was 420 nm. The thickness of the aluminum layer deposited on top of SiO2 was 0.7 µm. The area of aluminum metallization was 1.85 × 1.85 mm2. At a room temperature, the structures were irradiated with helium ions (kinetic energy of an ion was 5 MeV). The radiation fluence ranged from 1010 to 1013 cm−2. According to calculations performed in the SRIM program, the average projective range of the helium ion in the structure was ≈ 24 µm. The impedance modulus Z and the phase shift angle φ between the current and voltage were measured in the frequency range from 20 Hz to 2 MHz using an E4980A LCR meter. The signal amplitude was 40 mV. The constant bias voltage U varied from −40 to 40 V. The MOS structures were kept in the dark at a room temperature. The DLTS spectra were recorded using CE-7C capacitance spectrometer in the temperature range of 80–300 K. The voltage pulses for filling traps Up with c-band electrons and the voltage of emission Ue of electrons from traps to c-band of n-Si varied in the range from −0.5 to −9 V. The pulse duration for filling traps with electrons was tp = 0.75 ms, and the pulse duration for emission of electrons from traps was te = 20 ms. It was found that for the Al/SiO2/n-Si/Al structures irradiated with helium ions with fluences of ≤1012 cm−2, the dependence of the capacitance on the frequency in the depletion mode is determined by the recharging of the surface electron states at the SiO2/n-Si interface. It was shown that in the initial structures for fast (recharging time <1 µs) surface states, the dependence of the energy density of states Nss on the potential energy eψ of an electron in n-Si near the SiO2/n-Si interface has its maximum at eψ ≈ EF – 0.1 eV (here e is the elementary charge, ψ is the electric potential, EF is the Fermi energy level). After irradiation with helium ions with a fluence of 1012 cm−2, this maximum shifts towards lower energies down to eψ ≈ EF – 0.2 eV. In the irradiated structures, a second maximum appears on the Nss(eψ) dependence in the region of eψ > 0. For an irradiation fluence of 1012 cm−2, the maximum is located at eψ ≈ EF + 0.1 eV. The possibility of studying surface states with the DLTS spectroscopy method in the selected energy range by varying the emission voltage Ue at a constant value of the filling voltage Up and/or varying the filling voltage Up at a constant value of the emission voltage Ue is shown. 

структуры металл–оксид–полупроводник–металлвольт-фарадные характеристикиимпеданскремнийповерхностные электронные состояниярадиационные дефектыDLTSstructures metal–oxide–semiconductor–metalC–V curvesimpedancesiliconsurface electron statesirradiation-induced defectsDLTSРабота поддержана Государ ственной программой научных исследований «Материало ведение, новые материалы и технологии» на 2021–2025 годы, подпрограмма «Физика конденсированного состояния и создание новых функциональных материалов и технологий их получения» (задание 1.8.2).The work was supported by the Be larusian National Research Program “Materials Science, New Materials and Technologies” for 2021–2025, subprogram “Condensed Matter Physics and Development of New Functional Materials and Technologies for their Production” (task 1.8.2).ReferencesSze, S. M. Physics of semiconductor devices / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken: Wiley, 2007. – X + 816 p. https://doi.org/10.1002/0470068329Sze S. M., Ng K. K. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken, Wiley, 2007. X + 816 p. https://doi.org/10.1002/0470068329Вавилов, В. С. Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. – М.: Наука, 1988. – 190 с.Vavilov V. S., Kekelidze N. P., Smirnov L. S. Effect of Radiation on Semiconductors. Moscow, Nauka Publ., 1988. 190 p. (in Russian).Барабан, А. Н. Электроника слоев SiO2 на кремнии / А. Н. Барабан, В. В. Булавинов, П. П. Коноров. – Л.: Ленингр. ун-т, 1988. – 304 с.Baraban A. N., Bulavinov V. V., Konorov P. P. Electronics of SiO2 Layers on Silicon. Leningrad, Publishing House of Leningrad State University, 1988. 304 p. (in Russian).Nicollian, E. H. The Si-SiO2 interface electrical properties as determined by metal-insulator-silicon conductance technique / E. H. Nicollian, A. Goetzberger // The Bell System Technical Journal. – 1967. – Vol. XLVI, № 6. – P. 1055–1133. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.xNicollian E. H., Goetzberger A. The Si-SiO2 interface electrical properties as determined by metal-insulatorsili con conductance technique. The Bell System Technical Journal, 1967, vol. XLVI, no. 6, pp. 1055–1133. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.xБелоус, А. И. Космическая электроника: в 2 кн. / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 488 с.Belous A. I., Soloduha V. A., Shvedov S. V. Space Electronics. Book 2. Moscow, Tehnosfera Publ., 2015. 488 p. (in Russian).Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: учеб. пособие / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, Т. М. Лапчук, Д. А. Кириленко. – Минск: БГУ, 1997. – 62 с.Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Lapchuk T. M., Kirilenko D. A. Capacitance and Electrical Conductivity of Semiconductor Structures on Alternating Current. Minsk, BSU, 1997. 62 p. (in Russian).Комплексная электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Опто-, микро- и СВЧ-электроника. – 2018: сб. науч. ст. I Междунар. науч.-техн. конф., Минск, Беларусь, 22–26 окт. 2018 г. / Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; ред.: Н. С. Казак, А. С. Чиж, В. В. Малютина-Бронская. – Минск, 2018. – С. 132–135.Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Skuratov V. A., Wieck A. Complex electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with high-energy xenon ions. Opto-, mikro- i SVCH-ehlektronika – 2018: sbornik nauchnykh statei I Mezhdunarodnoi nauchno-tekhnicheskoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 22–26 oktyabrya 2018 g. [Opto-, Micro- and Microwave Electronics. Collected Papers of the 1st International Scientific and Technical Conference, Belarus, 22–26 October, 2018]. Minsk, 2018, pp. 132–135 (in Russian).Емкость в режиме сильной инверсии cтруктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VIII Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 10–11 окт. 2018 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2018. – С. 192–196.Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Skuratov V. A., Wieck A. Capacitance in the strong inversion regime of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with xenon ions. Materialy i struktury sovremennoi ehlektroniki: sbornik nauchnykh trudov VIII Mezhdunarodnoi nauchnoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 10–11 oktyabrya 2018 g. [Materials and Structures of Modern Electronics. Collected Papers of the VIII International Scientific Conference, Minsk, Belarus, October 10–11, 2018]. Minsk, 2018, pp. 192–196 (in Russian).Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Пок лонский, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2019): материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / БГУ; редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2019. – С. 139–142.Gorbachuk N. I., Poklonski N. A., Shpakovski S. V., Wieck A. Electrical losses of Al/SiO2/n-Si structures implanted with xenon ions. Vzaimodeistvie izluchenii s tverdym telom (VITT-2019): materialy 13-i Mezhdunarodnoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 30 sentyabrya – 3 oktyabrya 2019 g. [Interaction of Radiation with Solids. Proceedings of the 13th International Conference, Minsk, Belarus, September 30 – October 3, 2019]. Minsk, 2019, pp. 139–142 (in Russian).Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons / N. A. Poklonski, N. I. Gor bachuk, S. V. Shpakovski [et al.] // Semiconductors. – 2010. – Vol. 44, № 3. – P. 380–384. https://doi.org/10.1134/S1063782610030188Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Lastovskii S. B., Wieck A. Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons. Semiconductors, 2010, vol. 44, no. 3, pp. 380–384. https://doi.org/10.1134/S1063782610030188Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation / N. A. Poklonski, N. I. Gorbachuk, S. V. Shpakovski, A. Wieck // Technical Physics. – 2010. – Vol. 55, № 10. – P. 1463–1471. https://doi.org/10.1134/S1063784210100117Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Lastovskii S. B., Wieck A. Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation. Technical Physics, 2010, vol. 55, no. 10, pp.1463–1471. https://doi.org/10.1134/S1063784210100117Диэлектрические потери структур Al/SiO2/n-Si, облученных электронами с энергией 3.5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2015): материалы 11-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 23–25 сент. 2015 г. / БГУ; редкол.: В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2015. – С. 136–138.Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Britko P. S., Neverovskii D. A., Lastovskii S. B., Wieck A. Di electric losses of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with 3.5 MeV-electrons. Vzaimodeistvie izluchenii s tverdym telom (VITT-2015): materialy 11-i Mezhdunarodnoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 23–25 sentyabrya 2015 g. [Interaction of Radiation with Solids. Proceedings of the 11th International Conference, Minsk, Belarus, September 23–25, 2015]. Minsk, 2015, pp. 136–138 (in Russian).Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016): сб. докл. Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 22–25 нояб. 2016 г.: в 3 т. / НПЦ НАНБ по материаловедению; редкол.: Н. М. Олехнович (пред.) [и др.]. – Минск, 2016. – Т. 2. – С. 39–41.Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Shpakovski S. V., Vo Quang Nha, Merkulov V. A., Skuratov V. A., Kukharchyk N., Becker H.-W., Wieck A. Electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with 5 MeV-helium ions. Aktual’nye problemy fiziki tverdogo tela (FTT-2016): sbornik dokladov Mezhdunarodnoi nauchnoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 22– 25 noyabrya 2016 g. [Actual Problems of Solid State Physics. Proceedings of the International Scientific Conference, Minsk, Belarus, November 22–25, 2016]. Minsk, 2016. Vol. 2, pp. 39–41 (in Russian).Impedance spectroscopy: Theory experiment and applications / ed. by E. Barsoukov, J. R. Macdonald. – Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 2005. – xviii + 596 p. https://doi.org/10.1002/0471716243Barsoukov E., Macdonald J. R. (eds.). Impedance Spectroscopy: Theory Experiment and Applications. Hoboken, John Wiley & Sons, Inc., 2005. xviii + 596 p. https://doi.org/10.1002/0471716243Lang, D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // Journal of Applied Physics. – 1974. – Vol. 45, № 7. – P. 3023–3032. https://doi.org/10.1063/1.1663719Lang D. V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. Journal of Applied Physics, 1974, vol. 45, no. 7, pp. 3023–3032. https://doi.org/10.1063/1.1663719Dmitriev, S. G. Semiconductor surface potential relaxation in the MIS structure in the presence of convective currents in insulator and through its boundaries / S. G. Dmitriev // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, № 2. – P. 188–191. https://doi.org/10.1134/S1063782611020072Dmitriev S. G. Semiconductor surface potential relaxation in the MIS structure in the presence of convective currents in insulator and through its boundaries. Semiconductors, 2011, vol. 45, no. 2, pp. 188–191. https://doi.org/10.1134/S1063782611020072Давыдов, В. Н. Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана / В. Н. Давыдов, П. Е. Троян, Н. Г. Зайцев // Известия Томского политехнического университета. – 2006. – Т. 309, № 8. – С. 47–51.Davydov V. N., Troyan P. E., Zaytsev N. G. Program for calculating the parameters of the MIS structure using the Terman method. Izvestiya Tomskogo politekhnicheskogo universiteta = Bulletin of the Tomsk Polytechnic University, 2006, vol. 309, no. 8, pp. 47–51 (in Russian).DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si / Н. И. Горбачук, Н. А. Поклонский, Е. А. Ермакова [и др.] // Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния: материалы седьмой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, Беларусь, 18–19 мая 2023 г. / Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко Белорус. гос. ун-та; редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская. – Минск, 2023. – С. 272–274.Gorbachuk N. I., Poklonski N. A., Ermakova E. A., Shpakovski S. V., Lomako V. M. DLTS spectroscopy of radiation defects in helium ion irradiated Al/Si3N4/n-Si structures. Prikladnye problemy optiki, informatiki, radiofiziki i fiziki kondensirovannogo sostoyaniya: materialy sed’moi Mezhdunarodnoi nauchno-prakticheskoi konferentsii, Minsk, Belarus’, 18– 19 maya 2023 g. [Applied Problems of Optics, Computer Science, Radiophysics and Condensed Matter Physics. Proceedings of the Seventh International Scientific and Practical Conference, Minsk, Belarus, May 18–19, 2023]. Minsk, 2023, pp. 272– 274 (in Russian).C–V and DLTS studies of radiation induced Si–SiO2 interface defects / I. Capan, V. Janicki, R. Jacimovic, B. Pivac // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 2012. – Vol. 282. – P. 59–62. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.08.065Capan I., Janicki V., Jacimovic R., Pivac B. C–V and DLTS studies of radiation induced Si–SiO2 interface defects. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2012, vol. 282, pp. 59–62. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.08.065Hara, T. DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells / T. Hara, Y. Ohshita // AIP Advances. – 2024. – Vol. 14, № 1. – Art. ID 015202. https://doi.org/10.1063/5.0177685Hara T., Ohshita Y. DLTS analysis of interface and near-interface bulk defects induced by TCO-plasma deposition in carrier-selective contact solar cells. AIP Advances, 2024, vol. 14, no. 1, art. ID 015202. https://doi.org/10.1063/5.0177685Energy state distributions of the Pb centers at the (100), (110), and (111) Si/SiO2 interfaces investigated by Laplace deep level transient spectroscopy / L. Dobaczewski, S. Bernardini, P. Kruszewski [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol. 92, № 24. – Art. ID 242104. https://doi.org/10.1063/1.2939001Dobaczewski L., Bernardini S., Kruszewski P., Hurley P. K., Markevich V. P., Hawkins I. D., Peaker A. R. Energy state distributions of the Pb centers at the (100), (110), and (111) Si/SiO2 interfaces investigated by Laplace deep level transient spectroscopy. Applied Physics Letters, 2008, vol. 92, no. 24, art. ID 242104. https://doi.org/10.1063/1.2939001Traps at the bonded interface in silicon-on-insulator structures / I. V. Antonova, O. V. Naumova, D. V. Nikolaev [et al.] // Applied Physics Letters. – 2001. – Vol. 79, № 27. – P. 4539–4540. https://doi.org/10.1063/1.1428412Antonova I. V., Naumova O. V., Nikolaev D. V., Popov V. P., Stano J. and Skuratov V. A. Traps at the bonded interface in silicon-on-insulator structures. Applied Physics Letters, 2001, vol. 79, no. 27, pp. 4539–4540. https://doi.org/10.1063/1.1428412Ziegler, J. F. SRIM – The Stopping and Range of Ions in Matter / J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. – Chester, MD: SRIM Co., 2008. – 398 p.Ziegler J. F., Biersack J. P., Ziegler M. D. SRIM – The Stopping and Range of Ions in Matter. Chester, MD, SRIM Co., 2008. 398 p.Цифровой емкостный спектрометр СЕ-6 / H. H. Дедович, В. А. Кузьминых, А. Н. Лазарчик [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, Беларусь, 25–26 сент. 2008 г. / БГУ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2008. – С. 16–19.Dedovich H. H., Kuz’minyh V. A., Lazarchik A. N., Lomako V. M., Pranovich V. I., Romanov A. F. Digital capacitance spectrometer CE-6. Materialy i struktury sovremennoi ehlektroniki: sbornik nauchnykh trudov III Mezhdunarodnoi nauch. konferentsii, Minsk, Belarus’, 25–26 sentyabrya 2008 g. [Materials and Structures of Modern Electronics. Collected Papers of the III International Scientific Conference, Minsk, Belarus, September 25–26, 2008.]. Minsk, 2008, pp. 16–19 (in Russian).Hazdra, P. Influence of radiation defects on formation of thermal donors in silicon irradiated with high-energy helium ions / P. Hazdra, V. Komarnitskyy // Materials Science and Engineering B. – 2009. – Vol. 159–160. – P. 346–349. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2008.10.008Hazdra P., Komarnitskyy V. Influence of radiation defects on formation of thermal donors in silicon irradiated with high-energy helium ions. Materials Science and Engineering B, 2009, vol. 159–160, pp. 346–349. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2008.10.008Defect reactions associated with the dissociation of the phosphorus–vacancy pair in silicon / V. P. Markevich, O. Andersen, I. F. Medvedeva [et al.] // Physica B. – 2001. – Vol. 308–310. – P. 513–516. https://doi.org/10.1016/S09214526(01)00737-2Markevich V. P., Andersen O., Medvedeva I. F., Evans-Freeman J. H., Hawkins I. D., Murin L. I., Dobaczewski L., Peaker A. R. Defect reactions associated with the dissociation of the phosphorus–vacancy pair in silicon. Physica B, 2001, vol. 308–310, pp. 513–516. https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00737-2

The authors declare that there are no conflicts of interest present.