vestifmИзвестия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наукProceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series1561-24302524-2415The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"vestifm-88Research ArticleФИЗИКАPHYSICSДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGaS2, ДОПИРОВАННЫХ Со и YbDIELECTRIC PROPERTIES OF Co- And Yb-DOPED SINGLE CRYSTALS OF TlGaS2ГуртовойВ. Г.HurtavyV. G.ШелегА. У.ShelegA. U.МустафаеваС. Н.MustafaevaS. N.КеримоваЭ. М.KerimovaE. M.Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, МинскScientific and Practical Materials Research Centre of the National Academy of Sciences of Belarus, MinskИнститут физики НАН Азербайджана, БакуInstitute of Physics Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku2015180520160298102Copyright © Гуртовой В.Г., Шелег А.У., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М., 20162016Гуртовой В.Г., Шелег А.У., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М.Hurtavy V.G., Sheleg A.U., Mustafaeva S.N., Kerimova E.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/88

Проведены исследования электропроводности и диэлектрических характеристик монокристаллов TlGaS2, TlGa0,999Yb0,001S2 и TlGa0,99 Co0,01S2 в интервале температур 150–320 К на частотах измерительного поля 103 –106 Гц. Определены значения обобщенной энергии активации основных носителей заряда в этих кристаллах. Показано, что абсолютные значения изученных характеристик возрастают при увеличении температуры. На кривых температурной зависимости диэлектрической проницаемости исследуемых кристаллов обнаружены аномалии в виде широких максимумов, свидетельствующие о наличии структурных превращений в них в области температур ~ 170–250 К. Выявлена дисперсия диэлектрических свойств исследованных монокристаллов: с ростом частоты значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а удельной электропроводности – увеличиваются. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 кобальтом и иттербием приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и увеличению значений электропроводности.

Electrical conductivity and dielectric properties of TlGaS2, TlGa0,999Yb0,001S2 and TlGa0,99 Co0,01S2  single crystals are investigated in the temperature range 150–320 K at the measuring field frequencies of 103 –106 Hz. The values of generalized activation energy of charge carriers in these crystals are determined. It is shown that the absolute values of the characteristics studied increase with temperature. The temperature dependences of the dielectric constant of these crystals have revealed the anomalies in the form of wide peaks, indicating the presence of their structural changes at temperatures ~ 170–250 K. The dispersion of the dielectric properties of the single crystals under study is seen: with a frequency growth the dielectric constant values decrease, and electrical conductivity values increase. It is found that the cobalt and ytterbium doping of TlGaS2 crystals decrease permittivity values and increase electrical conductivity values.

ReferencesDelgado G. E., Mora A. J., Pérez F. V. et. al. // Physica B: Condens. Matter. 2007. Vol. 391, N 2. P. 385–388.Delgado G. E., Mora A. J., Pérez F. V. et. al. // Physica B: Condens. Matter. 2007. Vol. 391, N 2. P. 385–388.Henkel W., Hochheimer H. D., Carlone C. et. al. // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 26, N 6. P. 3211–3221.Henkel W., Hochheimer H. D., Carlone C. et. al. // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 26, N 6. P. 3211–3221.Плющ О. Б., Шелег А. У. // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 5. С. 873–877.Плющ О. Б., Шелег А. У. // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 5. С. 873–877.Боровой Н. А., Гололобов Ю. П., Исаенко Г. Л. и др. // Физика твердого тела. 2009. Т. 51, № 11. С. 2229–2232.Боровой Н. А., Гололобов Ю. П., Исаенко Г. Л. и др. // Физика твердого тела. 2009. Т. 51, № 11. С. 2229–2232.Шелег А. У., Плющ О. Б., Алиев В. А. // Физика твердого тела. 1994. Т. 36, № 1. С. 226–230.Шелег А. У., Плющ О. Б., Алиев В. А. // Физика твердого тела. 1994. Т. 36, № 1. С. 226–230.McMorrow D. F., Cowley R. A., Hatton P. D. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. Vol. 2, N 16. P. 3699.McMorrow D. F., Cowley R. A., Hatton P. D. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. Vol. 2, N 16. P. 3699.Крупников Е. С., Абуталыбов Г. И. // Физика твердого тела. 1992. Т. 34, № 9. С. 2964–2966.Крупников Е. С., Абуталыбов Г. И. // Физика твердого тела. 1992. Т. 34, № 9. С. 2964–2966.Мальсагов А. У., Кульбужиев Б. С., Хамхоев Б. М. // Неорган. материалы. 1989. Т. 25, № 2. С. 216–220.Мальсагов А. У., Кульбужиев Б. С., Хамхоев Б. М. // Неорган. материалы. 1989. Т. 25, № 2. С. 216–220.Açikgöz M. // Tur. J. Phys. 2008. Vol. 32. P. 145–150.Açikgöz M. // Tur. J. Phys. 2008. Vol. 32. P. 145–150.Мустафаева С. Н. // Неорган. материалы. 2009. Т. 45, № 6. С. 659–662.Мустафаева С. Н. // Неорган. материалы. 2009. Т. 45, № 6. С. 659–662.Karabulut O., Yilmaz K., Boz B. // Cryst. Res. Technol. 2011. Vol. 46, N 1. P. 79–84.Karabulut O., Yilmaz K., Boz B. // Cryst. Res. Technol. 2011. Vol. 46, N 1. P. 79–84.Kerimova É. M., Mustafaeva S. N., Asadov Y. G. et. al. // Crystallogr. Rep. 2005. Vol. 50, N 1. P. S122–S123.Kerimova É. M., Mustafaeva S. N., Asadov Y. G. et. al. // Crystallogr. Rep. 2005. Vol. 50, N 1. P. S122–S123.Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y. et. al. // Phys. Status Solidi A. 2006. Vol. 203, N 11. P. 2666–2669.Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y. et. al. // Phys. Status Solidi A. 2006. Vol. 203, N 11. P. 2666–2669.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.