Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ ФОСФОРА И БОРА

Аннотация

Методами масс-спектрометрии вторичных ионов, измерений поверхностного сопротивления и микротвердости проведены исследования свойств приповерхностной (рабочей) области пластин монокристаллического кремния, имплантированных ионами бора и фосфора с целью формирования сильнолегированных «карманов» комплиментарных КМОП-структур. Обнаружено приповерхностное упрочнение пластин после имплантации. Образование слоя с повышенной плотностью дефектов в кремнии снижает микротвердость приповерхностного слоя. Быстрый термический отжиг приводит к разупрочнению приповерхностной области монокристалла кремния на глубине до 1 мкм и увеличению трещиностойкости (росту K^ и у) при малых нагрузках. Полученные экспериментальные результаты объяснены с учетом генерации вакансий в процессе быстрого термического отжига.

Об авторах

Д. И. Бринкевич
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


С. А. Вабищевич
Полоцкий государственный университет
Беларусь


В. С. Просолович
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


Ю. Н. Янковский
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Технология СБИС: в 2 кн. М., 1986. Кн. 1. С. 335-353.

2. КолесниковЮ. В., МорозовЕ. М. Механика контактного разрушения. М., 1989.

3. Соколов В. И, Шелых А. И. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34, № 5. С. 34-39.

4. FalsterR. J., BinnsM. J., Korb H. W. US patent 6686620, primary class 438/473, publication 03.02.2004.

5. Voronkov V. V., FalsterR. // Materials science in semiconductor processing. 2003. Vol. 5. P. 387-390.

6. Головин Ю. И., Дмитриевский А. А., Сучкова Н. Ю. // Физика твердого тела. 2006. Т. 48, № 2. С. 262-265.

7. Головин Ю. И., Тюрин А. И. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42, № 10. С. 1818-1820.


Рецензия

Просмотров: 509


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)