1. Смирнов, Л. С. Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Л. С. Смирнов. - Новосибирск: Наука, 1981. - 184 с.
2. Меднис, И. В. Справочные таблицы для нейтронно-активационного анализа / И. В. Меднис. - Рига: Знание, 1974. - 410 с.
3. Lax, B. Transient response of a p-n junction / B. Lax, S. F. Neustadter / J. Appl. Phys. - 1984. - Vol. 25, № 9. - P. 1148-1154. https://doi.org/10.1063/1.1721830
4. F. P. Korshunov [et al.] Defect-impurity complexes with high thermal stability in epi-Si n+-p diodes irradiated with MeV electrons // Vacuum. - 2009. - Vol. 83. - P. S131-S133. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.01.044
5. Берман, Л. С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев. - Л.: Наука, 1981. - 176 с.
6. Claybourn, M. Thermal donor formation and the loss of oxygen from solution in silicon heated at 450 °C / M. Claybourn, R. C. Newman // Appl. Phys. Lett. - 1988. - Vol. 52, № 25. -P. 2139-2141. https://doi.org/10.1063/1.99557
7. Астрова, E. B. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарное емкостное измерение параметров глубоких уровней / E. B. Астрова, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т. 19, № 8. - С. 1382-1385.
8. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями заряда между уровнями и обеими разрешенными зонами / Е. А. Татохин [и др.] // Вестн. Воронеж. Гос. ун-та. Сер. Физика. Математика. - 2008. - № 2. - C. 60-70.
9. Влияние отжига на перестройку центров рекомбинации в облученных кремниевых структурах / Ф. П. Коршунов [и др.] // Докл. АН БССР. - 1988. - Т. 32, № 9. - С. 781-783.
10. Исследование радиационно-термических дефектов и их влияние на параметры кремниевых диффузионных p-n-структур // Ф. П. Коршунов [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. - 1998. - № 3. - С. 64-68.