ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЕМКОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ p-n-ПЕРЕХОДОВ В РЕЖИМЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ
Анатацыя
Аб аўтарах
Ф. КоршуновБеларусь
Н. Жданович
Беларусь
В. Гуринович
Беларусь
Спіс літаратуры
1. Werner J., Levi A. F. J., Tung R. T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 60 (1). P. 53-56.
2. ErshovM, Liu H. C, LiL. et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. Vol. 45 (10). P. 2196-2206.
3. Beale M, Mackay P. // Phil. Mag. B. 1992. Vol. 65 (1). P. 47-64.
4. Omura I, Ohashi H, Fichtner W. // IEEE Electron Dev. Lett. 1997. Vol. 18 (12). P. 622-624.
5. Noguchi T., KitagawaM., Taniguchi I. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. Vol. 19 (7). P. 1423-1424.
6. Абдуллаев Г. Б., Искендерзаде З. А., Джафарова Э. А. // Радиоэлектроника. 1965. Т. 10 (4). С. 776-779.
7. Синица С. П. // Радиоэлектроника. 1957. Т. 2. С. 1427-1429.
8. McPherson M. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 2002. Vol. 488. P. 100-109.
9. Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, вып. 7. С. 824-828.
10. Коршунов Ф. П., Марченко И. Г. // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 12. С. 2201-2204.
11. Грехов И. В., Серёжкин Ю. Н. // Лавинный пробойр-п-перехода в полупроводниках. Л., 1980. С. 74-76.