ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЕМКОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ p-n-ПЕРЕХОДОВ В РЕЖИМЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

Анатацыя

Впервые проведены исследования отрицательной высокочастотной (ƒ= 1 МГц) емкости в облученных быстрыми электронами стабилитронах в режиме пробоя. Установлено, что появление участка отрицательной емкости на температурной зависимости емкости сопровождается появлением максимума проводимости на аналогичной зависимости проводимости от температуры. Сделано предположение, что данный эффект обусловлен влиянием центров прилипания на процесс перезарядки глубоких уровней во всей области пространственного заряда.