Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ

Полный текст:

Аннотация

В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур. 

Об авторах

Ф. П. Коршунов
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Н. Е. Жданович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


В. А. Гуринович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


С. В. Лукша
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Коршунов, Ф. П. Влияние электронного облучения на характеристики эпитаксиальных кремниевых p-n-структур / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, П. М. Гурин // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фіз.-мат. навук. – 2007. – № 3. – С. 92–95.

2. Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986.

3. Lox, B. Transient response of p-n-junction / B. Lox, S. T. Newstadter // J. Appl. Phys. – 1954. – Vol. 25. – P. 1148–1154.

4. Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Сов. радио, 1971.

5. Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989.

6. Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978.


Просмотров: 162


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)