EFFECT OF ELECTRON RADIATION ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THE p-n-STRUCTURES BASED ON NUCLEAR-DOPED SILICON
Abstract
The article studies the effect of electron radiation with energy of 4 MeV on the characteristics of high-voltage (4.5 kV) silicon diode p-n-structures based on nuclear-doped silicon. During the research the dose dependences of the correlations between the static and dynamic characteristics of the p-n structures were built, and the radiation damage coefficient of minority carrier lifetime Kτ was determined. Using the DLTS-spectroscopy method, the formation in the band-gap of basic n-Si of six energy levels of radiation defects affecting the characteristics of irradiated p-n-structures was determined.
About the Authors
F. P. KorshunovBelarus
N. E. Zhdanovich
Belarus
V. A. Gurinovich
Belarus
S. V. Luksha
Belarus
References
1. Коршунов, Ф. П. Влияние электронного облучения на характеристики эпитаксиальных кремниевых p-n-структур / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, П. М. Гурин // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фіз.-мат. навук. – 2007. – № 3. – С. 92–95.
2. Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986.
3. Lox, B. Transient response of p-n-junction / B. Lox, S. T. Newstadter // J. Appl. Phys. – 1954. – Vol. 25. – P. 1148–1154.
4. Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Сов. радио, 1971.
5. Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989.
6. Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978.