Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn₇S₁₁

Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn₇S₁₁. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

1. Chopra K., Das S. Thin Film Solar Cells. New York, Springer, 1983. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-0418-8

2. Coutts T., Meakin J. (eds.). Current topics in photovoltaics. London, Academic Press, 1985.

3. Mitchel K., Eberspacher C., Ermer J., Pier D. Single and tandem junction CuInSe2 cell and module technology. Conference Record of the Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. New York, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1988, vol. 2, pp. 1384–1388. https://doi.org/10.1109/pvsc.1988.105935

4. Wei Chen, Bovin J.-O., Joly A. G., Shaopeng Wang, Fuhai Su, Guohua Li. Full-Color Emission from In2S3 and In2S3:Eu3+ Nanoparticles. The Journal of Physical Chemistry B, 2004, vol. 108. no. 32, pp. 11927–11934. https://doi.org/10.1021/jp048107m

5. Sebentritt S. Alternative buffers for chalcopyrite solar cells. Solar Energy, 2004, vol. 77, no. 7, pp. 767–775. https://doi.org/10.1016/j.solener.2004.06.018

6. Asenjo B., Chaparro A. M., Gutierrez M. T., Herrero J., Klaer J. Influence of In2S3 film properties on the behavior of CuInS2/In2S3/ZnO type solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005, vol. 87, no. 1–4, pp. 647–656. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2004.07.043

7. Schulmeyer T., Klein A., Kniese R., Powalla M. Band offset at the CuGaSe2/In2S3 heterointerface. Applied Physics Letters, 2004, vol. 85, no. 6, pp. 961–963. https://doi.org/10.1063/1.1779340

8. Bodnarʼ I. V., Kudritskaya E. A., Polushina I. K., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Physical properties of CuxAg1−x In5S8 single crystals and related surface-barrier structures. Semiconductors, 1998, vol. 32, no. 9, pp. 933–936. https://doi.org/10.1063/1.1779340

9. Bodnarʼ I. V., Gremenok V. F., Rudʼ V. Yu., Rudʼ Yu. V. Production and investigation of AgIn5S8/(InSe, GaSe) heterojunctions. Semiconductors, 1999, vol. 33, no. 7, pp. 805–809. https://doi.org/10.1134/1.1187773

10. Bodnar I. V., Victorov I. A., Dabranski V. M., Osipova M. A. Solid solutions in In2S3–MnIn2S4 system. Physica Status Solidi C, 2009, vol. 6, no. 5, pp. 11301132. https://doi.org/10.1002/pssc.200881228

11. Bodnar I. V., Tran Binh Than. Investigation of the MnIn2S4–AgIn5S8 system. Doklady BGUIR, 2018, vol. 111, no. 1, pp. 57–64 (in Russian).

12. Ukhanov Yu. I. Optical Properties of Semiconductors. Moscow, Nauka Publ., 1977. 368 p. (in Russian).

13. Rembeza S. I. Methods for Measuring the Main Parameters of Semiconductors. Voronezh, VSU Publ., 1989. 221 p. (in Russian).

14. Willardson R., Beer A. C. (eds.) Semiconductors and semimetals. New York, Academic Press, 1966.