Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ НИТРИДА ИНДИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ

Полный текст:

Аннотация

Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015–1018 см–2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и оптической ширины запрещенной зоны Eg соединения InN. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны Eg об- лученных тонких пленок InN обусловлено образованием радиационных дефектов донорного типа и проявления эффекта Бурштейна – Мосса

Об авторах

А. В. Мудрый
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


В. Д. Живулько
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


А. Л. Гурский
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
Беларусь


М. В. Якушев
Университет Стратклайд, Глазго
Великобритания


Р. В. Мартин
Университет Стратклайд, Глазго
Великобритания


В. Дж. Шафф
Корнельский университет, Итака
Соединённые Штаты Америки


Список литературы

1. Adashi M. // Jap. J. Appl. Phys. 2014. Vol. 53, iss. 10. P. 100207-1–100207-8.

2. Ishitani Y. // Jap. J. Appl. Phys. 2014. Vol. 53, iss. 10. P. 100204-1–100204-17.

3. Fabien C. A. M., Moseley M., Gunning B. et al. // IEEE J. of Photovoltaics. 2014. Vol. 4, iss. 2. P. 601–605.

4. Wu J. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106, iss. 1. P. 011101-1–011101-28.

5. Bhuiyan A. G., Sugita K., Hashimoto A., Yamamoto A. // IEEE J. of Photovoltaics. 2012. Vol. 2, no. 5. P. 276–293.

6. Davydov V. Yu., Klochikhin A. A., Emtsev V. V. et al. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 234, N 3. Р. 787–795.

7. Osamura K., Nakajima K., Murakami Y. et al. // Solid State Commun. 1972. Vol. 11, iss. 5. P. 617–621.

8. Reurings F., Rauch C., Tuomisto F. et al. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 82, iss. 15. P. 153202-1–153202-4.

9. Tuomisto F., Pelli A., Yu K. M. et al. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75, iss. 19. P. 193201-1–193201-4.

10. Jones R. E., Li S. X., Hsu L. et al. // Physica B. 2006. Vol. 376/377. P. 436–439.

11. Walukiewicz W., Ager III J. W., Yu K. M. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. R83–R99.

12. Lu H., Schaff W. J., Hwang J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, N 10. P. 1489–1491.

13. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М., 1977.

14. Li S. X., Jones R. E., Haller E. E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88, iss. 15. P. 151101-1–151101-3.

15. Rauch C., Tuomisto F., King P. D. C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101, iss. 1. P. 011903-1–011903-4.

16. Tangi M., Kuyyalil J., Shivaprasad S. M. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114, iss. 15. P. 153501-1–153501-6.

17. Klochikhin A. A., Davydov V. Yu., Emtsev V. V. et al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71, iss. 19. P. 195207-1–195207-16.


Просмотров: 115


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)