РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ НИТРИДА ИНДИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
Аннотация
Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015–1018 см–2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и оптической ширины запрещенной зоны Eg соединения InN. Увеличение оптической ширины запрещенной зоны Eg об- лученных тонких пленок InN обусловлено образованием радиационных дефектов донорного типа и проявления эффекта Бурштейна – Мосса
Об авторах
А. В. Мудрый
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. Д. Живулько
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
А. Л. Гурский
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
Беларусь
Беларусь
М. В. Якушев
Университет Стратклайд, Глазго
Великобритания
Великобритания
Р. В. Мартин
Университет Стратклайд, Глазго
Великобритания
Великобритания
В. Дж. Шафф
Корнельский университет, Итака
Соединённые Штаты Америки
Соединённые Штаты Америки
Список литературы
1. Adashi M. // Jap. J. Appl. Phys. 2014. Vol. 53, iss. 10. P. 100207-1–100207-8.
2. Ishitani Y. // Jap. J. Appl. Phys. 2014. Vol. 53, iss. 10. P. 100204-1–100204-17.
3. Fabien C. A. M., Moseley M., Gunning B. et al. // IEEE J. of Photovoltaics. 2014. Vol. 4, iss. 2. P. 601–605.
4. Wu J. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106, iss. 1. P. 011101-1–011101-28.
5. Bhuiyan A. G., Sugita K., Hashimoto A., Yamamoto A. // IEEE J. of Photovoltaics. 2012. Vol. 2, no. 5. P. 276–293.
6. Davydov V. Yu., Klochikhin A. A., Emtsev V. V. et al. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 234, N 3. Р. 787–795.
7. Osamura K., Nakajima K., Murakami Y. et al. // Solid State Commun. 1972. Vol. 11, iss. 5. P. 617–621.
8. Reurings F., Rauch C., Tuomisto F. et al. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 82, iss. 15. P. 153202-1–153202-4.
9. Tuomisto F., Pelli A., Yu K. M. et al. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75, iss. 19. P. 193201-1–193201-4.
10. Jones R. E., Li S. X., Hsu L. et al. // Physica B. 2006. Vol. 376/377. P. 436–439.
11. Walukiewicz W., Ager III J. W., Yu K. M. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. R83–R99.
12. Lu H., Schaff W. J., Hwang J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, N 10. P. 1489–1491.
13. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М., 1977.
14. Li S. X., Jones R. E., Haller E. E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88, iss. 15. P. 151101-1–151101-3.
15. Rauch C., Tuomisto F., King P. D. C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101, iss. 1. P. 011903-1–011903-4.
16. Tangi M., Kuyyalil J., Shivaprasad S. M. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114, iss. 15. P. 153501-1–153501-6.
17. Klochikhin A. A., Davydov V. Yu., Emtsev V. V. et al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71, iss. 19. P. 195207-1–195207-16.
Рецензия
Просмотров: 678
Послать статью по эл. почте 