Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЕМКОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ p-n-ПЕРЕХОДОВ В РЕЖИМЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

Полный текст:

Аннотация

Впервые проведены исследования отрицательной высокочастотной (ƒ= 1 МГц) емкости в облученных быстрыми электронами стабилитронах в режиме пробоя. Установлено, что появление участка отрицательной емкости на температурной зависимости емкости сопровождается появлением максимума проводимости на аналогичной зависимости проводимости от температуры. Сделано предположение, что данный эффект обусловлен влиянием центров прилипания на процесс перезарядки глубоких уровней во всей области пространственного заряда.

Об авторах

Ф. П. Коршунов
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Н. Е. Жданович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


В. А. Гуринович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Werner J., Levi A. F. J., Tung R. T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 60 (1). P. 53-56.

2. ErshovM, Liu H. C, LiL. et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. Vol. 45 (10). P. 2196-2206.

3. Beale M, Mackay P. // Phil. Mag. B. 1992. Vol. 65 (1). P. 47-64.

4. Omura I, Ohashi H, Fichtner W. // IEEE Electron Dev. Lett. 1997. Vol. 18 (12). P. 622-624.

5. Noguchi T., KitagawaM., Taniguchi I. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. Vol. 19 (7). P. 1423-1424.

6. Абдуллаев Г. Б., Искендерзаде З. А., Джафарова Э. А. // Радиоэлектроника. 1965. Т. 10 (4). С. 776-779.

7. Синица С. П. // Радиоэлектроника. 1957. Т. 2. С. 1427-1429.

8. McPherson M. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 2002. Vol. 488. P. 100-109.

9. Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, вып. 7. С. 824-828.

10. Коршунов Ф. П., Марченко И. Г. // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 12. С. 2201-2204.

11. Грехов И. В., Серёжкин Ю. Н. // Лавинный пробойр-п-перехода в полупроводниках. Л., 1980. С. 74-76.


Просмотров: 148


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)