МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В МАТРИЦЕ InGaN СВЕТОДИОДОВ С ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ

Создана матрица, состоящая из 33 миниатюрных светодиодов Rebel Z-серии, излучающих в сине-зеленой области спектра. Максимальная плотность мощности излучения матрицы составила ~18 Вт/см2 при непрерывном токе инжекции. Выполнена компьютерная модель, описывающая распределение температуры в матрице светодиодов в зависимости от потребляемой электрической мощности. Результаты моделирования согласуются с результатами измерений температуры светодиодов матрицы при помощи тепловизора, а также определения температуры активной области светодиодов оптическим методом. 

1. http://www.digikey.com/en/articles/techzone/2015/aug/the-incredible-shrinking-led

2. Study of a QCW light-emitting-diode (LED)-pumped solid-state laser / K. Lee [et al.] // J. Korean Phys. Soc. – 2011. – Vol. 59, no. 5. – P. 3239–3245.

3. Луценко, Е. В. Характеристики инжекционных лазеров видимого диапазона спектра и их возможные применения / Е. В. Луценко // Полупроводниковые лазеры: физика и технология: тез. докл. 4-го Всерос. симп. с междунар. участием, 10–13 нояб. 2014 г., Россия, Санкт-Петербург. – СПб., 2014. – С. 40.

4. Шуберт, Ф. Светодиоды: пер. с англ. / Ф. Шуберт; под ред. А. Э. Юновича. – 2-е изд. – М.: Физматлит, 2008. – С. 127–142.

5. Матрица светодиодов с принудительным охлаждением / А. В. Данильчик [и др.] // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: 9-й Белорус.-Рос. семинар, 28–31 мая 2013 г., Минск, Беларусь: сб. ст. – Минск, 2013. – С. 178–181.

6. Active region overheating temperature of commercial and active liquid cooled LEDs / E. V. Lutsenko [et al.] // Annual proceedings the technical university of Varna 2010. International Scientific and Applied Conference Opto-Nano Electronics and Renewable Energy Sources 2010, 21–25 Sept. 2010, St. Constantine and Helena Resort, Varna, Bulgaria: Proceedings. – [S. l.], 2010. – P. 38–42.

7. Efficiency droop suppression in InGaN-based blue LEDs: Experiment and numerical modeling / D. A. Zakheim [et al.] // Phys. Status Solidi A. – 2012. – Vol. 209, no. 3. – P. 456–460.

8. Carrier recombination mechanisms and efficiency droop in GaInN/GaN light-emitting diodes / Q. Dai [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2010. – Vol. 97, iss. 13. – P. 133507-1–133507-3.