ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Cu2ZnSnS4 И Cu2ZnSnSe4
Анатацыя
Проведены исследования диэлектрической проницаемости и удельной электропроводности монокристаллов Cu2ZnSnS4 и Cu2ZnSnSe4 в интервале температур 100-300 К на частотах измерительного поля 103-106 Гц. Определены значения обобщенной энергии активации основных носителей заряда в этих кристаллах. Показано, что абсолютные значения изученных характеристик возрастают при увеличении температуры. Выявлена дисперсия диэлектрических свойств исследованных монокристаллов: с ростом частоты значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а удельной электропроводности - увеличиваются. Обнаружено, что диэлектрическая проницаемость и проводимость у монокристаллов Cu2ZnSnSe4 больше, чем у Cu2ZnSnS4.
Аб аўтарах
В. Гуртовой
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
А. Шелег
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Спіс літаратуры
1. Jackson P., hariskos D., Lotter E. et al. // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2011. Vol. 19, N 7. P. 894–897.
2. contreras M. A., Mansfield L. M., Egaas B. et al. // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2012. Vol. 20, N 7. P. 843–850.
3. Grossberg M., Krustok J., Raudoja J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101, N 10. P. 102102–102104.
4. León M., Levcenko S., Serna R. et al. // Mater. Chem. and Phys. 2013. Vol. 141, N 1. P. 58–62.
5. Kumar M., Persson c. // Intern. J. of Theoretical and Applied Sciences. 2013. Vol. 5, N 1. P. 1–8.
6. Todorov T. K., Tang J., Bag S. et al. // Advanced Energy Materials. 2013. Vol. 3, N 1. P. 34–38.
7. Wang W., Winkler M. T., Gunawan O. et al. // Advanced Energy Materials. 2014. Vol. 4, N 7. P. 36–45.
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 780
Паслаць артыкул па эл. пошце 