Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ Mn0,55V0,45S

Аннотация

В интервале температур 80-300 К и магнитных полях с индукцией до 2,1 Тл изучены особенности магнито¬резистивных свойств и эффекта Холла твердого раствора Mn0,55V0,45S. Установлено, что состав Mn0,55V0,45S является полупроводником с высокими значениями концентрации носителей заряда р-типа и низкими величинами их подвижности; обладает магниторезистивным эффектом; имеет неколлинеарную антиферромагнитную структуру в области температур Т < ТN = 130 К; в окрестности температуры Т ~ 180 К в Mn0 55V0 45S имеет место фазовое превращение типа полупроводник-полуметалл, обусловленное делокализацией носителей заряда и образованием микрообластей с ферромагнитным упорядочением в антиферромагнитной матрице. Магниторезистивный эффект в этом случае, вероятнее всего, обусловлен магнитной неоднородностью и может быть проинтерпретирован в рамках модели электронного и магнитного разделения фаз, согласующейся с теорией протекания тока в сильно легированных полупроводниках.

Об авторах

С. С. Аплеснин
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск
Россия


О. Ф. Демиденко
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Г. И. Маковецкий
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


О. Б. Романова
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск
Россия


Л. И. Рябинкина
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск
Россия


К. И. Янушкевич
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Петраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. С. 895; Петраковский Г А., Рябинкина Л. И., Абрамова Г. М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. С. 99.

2. Рябинкина Л. И., Романова О. Б., Аплеснин С. С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2008. Т. 8. С. 1115.

3. Аплеснин С. С., Рябинкина Л. И., Романова О. Б. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. С. 875.

4. Мотт н. Ф. Переходы металл-изолятор. М., 1979.

5. нагаев Э. Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833.

6. Petrakovskii G. A., Loseva G. V., RyabinkinaL. I., Aplesnin S. S. // JMMM. 1995. Vol. 147. P. 140-144.

7. Ведяев А. В. // УФН. 2002. Т. 172. С. 1458.

8. Аплеснин С. С. Основы спинтроники. Красноярск, 2007.

9. Петраковский Г. А., Лосева Г. В., Рябинкина Л. И. и др. // ФТТ. 1996. № 38. С. 2131.

10. Лосева Г. В., Рябинкина Л. И., Аплеснин С. С. и др. // ФТТ. 1997. № 39. С. 1428.

11. BurletP. Le titre de docteure’es-sciences physiques. Universite de Grenoble, 1968.

12. Янушкевич К. И. Твердые растворы монохалькогенидов 3^-металлов. Минск, 2009.

13. Heikens Н. Н., Wiegers G. A., Bruggen c. F. van // Solid State Commun. 1977. Vol. 24. P. 205.

14. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979.


Рецензия

Просмотров: 799


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)