1. Shimura, F. Oxygen in Silicon / F. Shimura. - San Diego: Academic Press Inc., 1994.
2. Бабич, B. М. Кислород в монокристаллах кремния / B. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. - Киев: Интерпрес ЛТД, 1997.
3. Vacancy-assisted oxygen precipitation phenomena in Si / R. Falster [et al.] // Solid State Phenomena. - 1997. - Vol. 57/58. - P. 129-136.
4. Defects in silicon crystals after the high temperature treatment / A. A. Groza [et al.] // Phys. Status Solidi. - 1982. - Vol. A70, N 2. - P. 763-768.
5. Бабицкий, Ю. М. Влияние облучения нейтронами реактора на генерацию высокотемпературных доноров и преципитацию кислорода в кремнии / Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т. 19, № 11. - С. 2070-2072.
6. Hallberg, T. Enhanced oxygen precipitation in electron irradiated silicon / T. Hallberg, J. L. Lindstrom // J. Appl. Phys. - 1992. - Vol. 72, N 11. - P. 5130-5138.
7. О влиянии нейтронного облучения на генерацию термодоноров и преципитацию кислорода в кремнии при 650 ºС / В. Б. Неймаш [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1993. - Т. 27, № 10. - С. 1651-1655.
8. Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. - 2005. - Vol. 17, N 22. - P. S2237-S2246.
9. Мурин, Л. И. Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах Si / Л. И. Мурин // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. - Минск: БГУ, 2008. - С. 132-136.
10. Murin, L. I. Oxygen-related nanoclusters formed upon thermal double donor annihilation in silicon / L. I. Murin, E. A. Tolkacheva, B. G. Svensson // Актуальные проблемы физики твердого тела: ФТТ-2009: сб. докл. Междунар. науч. конф., 20-23 окт. 2009 г., Минск: в 3 т. - Минск: А. Н. Вараксин, 2009. - Т. 3. - C. 14-16.
11. Interlaboratory determination of the calibration factor for the measurement of the interstitial oxygen content of silicon by infrared absorption / A. Baghdadi [et al.] // J. Electrochem. Soc. - 1989. - Vol. 136, N 7. - P. 2015-2024.
12. Davies, G. Carbon in monocrystalline silicon / G. Davies, R. C. Newman // Handbook on Semiconductors / ed. by S. Mahajan. - Amsterdam, 1994. - Vol. 3. - P. 1557-1635.
13. Oxygen precipitation in silicon / A. Borghesi [et al.] // J. Appl. Phys. - 1995. - Vol. 77, N 9. - P. 4169-4244.
14. Murin, L. I. Vacancy-oxygen nanoclusters and enhanced oxygen precipitation in silicon / L. I. Murin, E. A. Tolkacheva // Proc. 2nd Intern. Conf. on Modern Applications of Nanotechnology, Minsk, Belarus, 6-8 May 2015. - Minsk, 2015. - P. P096 (1-4)