РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН И ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СУЛЬФИДОВ ОЛОВА
Аннотация
Теоретическим моделированием установлены зонная структура и оптические свойства различных по стехиометрическому составу и кристаллической решетке фаз сульфида олова. Показано, что все они являются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны от 0,17 до 2,4 эВ. Перспективным материалом для применения в солнечной энергетике представляется SnS в кубической и орторомбической фазах с шириной запрещенной зоны 1,0–1,5 эВ и коэффициентом поглощения в видимой области спектра более 105 см–1.
Ключевые слова
Об авторах
В. Л. ШАПОШНИКОВ
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. В. КРИВОШЕЕВА
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Е. БОРИСЕНКО
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Luque, A. Will we exceed 50% efficiency in photovoltaics? / A. Luque // J. Appl. Phys. – 2011. – Vol. 110. – P. 031301.
2. High-efficient low-cost photovoltaics: recent developments / eds.: V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. – Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag, 2008. – Vol. 140.
3. Madelung, O. Semiconductors: data handbook / O. Madelung. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2004.
4. Avellaneda, D. Polymorphic tin sulfide thin films of zinc blende and orthorhombic structures by chemical deposition / D. Avellaneda, M. T. S. Nair, P. K. Nair // J. Electrochem. Soc. – 2008. – Vol. 155. – P. D517–D525.
5. Gao, Ch. Preparation and properties of zinc blende and orthorhombic SnS films by chemical bath deposition / Ch. Gao, H. Shen, L. Sun // Appl. Surf. Sci. – 2011. – Vol. 257. – P. 6750–6755.
6. Optical properties of thermally evaporated SnS thin films / M. M. El-Nahass [et al.] // Opt. Mater. – 2002. – Vol. 20, N 3. – P. 159–170.7. Morphological and thermal properties of β- SnS2 sprayed thin films using Boubaker polynomials expansion / C. Khèlia [et al.] // J. Alloys Compd. – 2009. – Vol. 477. – P. 461–467.
7. Growth and characterization of tin disulfide (SnS2) thin film deposited by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique / N. G. Deshpande [et al.] // J. Alloys Compd. – 2007. – Vol. 436. – P. 421–426.
8. XRD, XPS and 119Sn NMR study of tin sulfides obtained by using chemical vapor transport methods / M. Cruz [et al.] // J. Solid State Chem. – 2003. – Vol. 175. – P. 359–365.
9. Electronic structure of SnS deduced from photoelectron spectra and band-structure calculations / A. R. H. F. Ettema [et al.] // Phys. Rev. B. – 1992. – Vol. 46. – P. 7363–7373.
10. Kresse, G. Efficient interactive schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set / G. Kresse, J. Furthmüller // Phys. Rev. B. – 1996. – Vol. 54, N 16. – P. 11169–11186.
11. Perdew, J. P. Generalized gradient approximation made simple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. – 1996. – Vol. 77, N 18. – P. 3865–3868.
12. WIEN2k, An augmented plane wave + local orbitals program for calculating crystal properties / P. Blaha [et al.]. – Karlheinz Schwarz, Techn. Universität Wien, Austria, 2001.
13. Shishkin, M. Implementation and performance of the frequency-dependent GW method within the PAW framework / M. Shishkin, G. Kresse // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 74, N 3. – P. 035101.
14. Tran, F. Accurate band gaps of semiconductors and insulators with a semilocal exchange- correlation potential / Tran F., P. Blaha // Phys. Rev. Lett. – 2009. – Vol. 102, N 22. – P. 226401.
Рецензия
Просмотров: 776
Послать статью по эл. почте 