ИЗМЕНЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ Cu2ZnSnS4 ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ
Анатацыя
В интервале температур 100–300 К на частотах измерительного поля 103–106 Гц проведены исследования электропроводности и диэлектрической проницаемости монокристаллов Cu2ZnSnS4, как необлученных, так и облученных электронами c энергией 4 МэВ дозами 1015 и 1016 см–2. Показано, что абсолютные значения изученных характеристик возрастают при увеличении температуры. На кривых σ = f(T) обнаружены участки с разным наклоном, что свидетельствует о наличии нескольких типов проводимости в исследованных полупроводниках. Выявлена дисперсия диэлектрических свойств исследованных монокристаллов: с ростом частоты значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а удельной электропроводности – увеличиваются. Обнаружено существенное влияние облучения электронами на электропроводность и диэлектрическую проницаемость исследованных монокристаллов.
Увеличение дозы облучения приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности во всей исследованной области температур.
Увеличение дозы облучения приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности во всей исследованной области температур.
Аб аўтарах
В. Гуртовой
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Расія
Расія
А. Шелег
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Расія
Расія
Спіс літаратуры
1. Compositional investigation of potassium doped Cu(In,Ga)Se2 solar cells with efficiencies up to 20.8 % / P. Jackson [et al.] // Phys. Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters. – 2014. – Vol. 8, N 3. – P. 219–222.
2. Properties of Cu(In,Ga)Se2 solar cells with new record efficiencies up to 21.7% / P. Jackson [et al.] // Phys. Status Solidi (RRL). – 2015. –Vol. 9, N 1. – P. 28–31.
3. The role of structural properties on deep defect states in Cu2ZnSnS4 studied by photoluminescence spectroscopy / M. Grossberg [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2012. – Vol. 101, N 10. – P. 102102–102104.
4. Lydia, R. Sreedhara Reddy P. Structural and Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Nanoparticles for Solar Cell Applications / R. Lydia // J. Nano- and Electron. Phys. – 2013. – Vol. 5, N 3. – P. 03017-1–03017-4.
5. Optical properties of high quality Cu2ZnSnSe4 thin films / F. Luckert [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2011. – Vol. 99, N 6. – P. 062104.
6. Spectroscopic ellipsometry study of Cu2ZnGeSe4 and Cu2ZnSiSe4 poly-crystals / M. Leon [et al.] // Mater. Chem. Phys. – 2013. – Vol. 141, N 1. – P. 58–62.
7. Compositionally Tunable Photoluminescence Emission in Cu2ZnSn(S1−xSex)4 Nanocrystals / A. Singh [et al.] // Angew. Chem. Int. Ed. – 2013. – Vol. 52, N 35. – P. 9120–9124.
8. Beyond 11% Efficiency: Characteristics of State-of-the-Art Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells / T. K. Todorov [et al.] // Advanced Energy Materials. – 2013. – Vol. 3, N 1. – P. 34–38.
9. Кристаллографические и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu2ZnSn(SxSe1–x)4 / А. У. Шелег [и др.] // Журн. приклад. спектроскопии. – 2014. – Т. 81, № 5. – C. 704–709.
10. Определение структурных и оптических характеристик тонких пленок полупроводниковых соединений Cu2ZnSnS4 / А. У. Шелег [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48, № 10. – C. 1332–1338.
11. Шелег, А. У. Получение и рентгенографические исследования твердых растворов Cu2ZnSn(SxSe1–x)4 / А. У. Шелег, В. Г. Гуртовой, В. А. Чумак // Кристаллография. – 2015. – Т. 60, № 5. – C. 826–830.
12. Device characteristics of CZTSSe thin-film solar cells with 12.6% efficiency / W. Wang [et al.] // Adv. Energy Mat. – 2014. – Vol. 4, N 7. – P. 36–45.
13. Пешиков, Е. В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках / E. B. Пешиков. – 2-е изд. – Ташкент: Фан, 1986. – 138 с.
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 1341
Паслаць артыкул па эл. пошце 