Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2

https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430

Аннотация

Методом компьютерного моделирования в рамках приближений LDA, GGA и PBE определены электронные зонные структуры нитридных соединений MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 и рассчитаны их оптические свойства. Установлено, что соединения с германием являются прямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны 3,0 эВ (MgGeN2) и 1,7 эВ (ZnGeN2), тогда как соединения с кремнием оказываются непрямозонными с величиной энергетического зазора 4,6 эВ (MgSiN2) и 3,7 эВ (ZnSiN2). Анализ оптических свойств показал перспективы использования MgGeN2 и ZnGeN2 в оптоэлектронике.

Просмотров: 454


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)