ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ СИСТЕМЫ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (1–x)(NaBi)1/2TiO3 – xBiCoO3
Аннотация
Методом твердофазных реакций синтезирована керамика системы (1–x)(NaBi)1/2TiO3–xBiCoO3. Установлено, что в данной системе в области составов х ≤ 0,2 образуются твердые растворы (ТР) с ромбоэдрической структурой. Определены структурные характеристики ТР данной системы. Показано, что параметры гексагональной элементарной ячейки aH и cH линейно возрастают с увеличением х. Приводятся результаты исследования диэлектрических свойств керамики полученных ТР. Установлено, что керамика проявляет свойства сегнетоэлектрика с размытым фазовым пере- ходом. При увеличении содержания BiCoO3 в системе (х > 0,05) имеющий место для (NaBi)1/2TiO3 при Т < 500 К переход в релаксорное состояние для ТР вырождается.
Об авторах
Ю. В. РадюшБеларусь
Н. М. Олехнович
Беларусь
А. В. Пушкарев
Беларусь
Список литературы
1. Cross L.-E. // Nature. 2004. Vol. 432, N. 7013. P. 24–25.
2. Zhang S., Xia R., Shrout T. R. // J. Electroceram. 2007. Vol. 19. P. 251–257.
3. Isupov V. A. // Ferroelectrics. 2005. Vol. 315. P. 123–147.
4. Marchet P., Boucher E., Dorcet V. et. al. // Ceram. Soc. 2006. Vol. 26, N 14. P. 3037–3041.
5. Takenaka T., Nagata H., Hiruma Y. et. al. // J. Electroceram. 2007. Vol. 19, N 4. P. 259–265.
6. Олехнович Н. М. Мороз И. И., Пушкарев А. В. и др. // Физика твердого тела. 2008. Т. 50, № 3. С. 490–495.
7. Олехнович Н. М. Радюш Ю. В., Пушкарев А. В. // Физика твердого тела. 2012. Т. 54, № 11. С. 2100–2105.
8. Олехнович Н. М., Пушкарев А. В., Радюш Ю. В. Физика твердого тела. 2013. Т. 55, № 10. С. 1950–1955.
9. Jones G. O., Thomas P. A. // Acta Crystallogr., Sect. B. 2002. Vol. 58. Р. 168–178.
10. Belik A. A., Jikubo S., Kodama K. et. al. // Chem. Mater. 2006. Vol. 18, N 3. P. 798–803.
11. Thomas N. W. // Acta Crystallogr., Sect. B. 1996. Vol. 52. Р. 954–960.
12. Uchino K., Nomura Sh. // Ferroelectrics. 1982. Vol. 44. Р. 55–61.