ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ
Аннотация
В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур.
Ключевые слова
электронное облучение,
высоковольтные диодные p-n-структуры,
статические и динамические характеристики,
энергетические уровни
При поддержке: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (проект № Ф14-124).
Об авторах
Ф. П. Коршунов
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Н. Е. Жданович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. А. Гуринович
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
С. В. Лукша
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Коршунов, Ф. П. Влияние электронного облучения на характеристики эпитаксиальных кремниевых p-n-структур / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, П. М. Гурин // Вес. Нац. акад. навук Беларуси. Сер. фіз.-мат. навук. – 2007. – № 3. – С. 92–95.
2. Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986.
3. Lox, B. Transient response of p-n-junction / B. Lox, S. T. Newstadter // J. Appl. Phys. – 1954. – Vol. 25. – P. 1148–1154.
4. Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Сов. радио, 1971.
5. Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989.
6. Коршунов, Ф. П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. – Минск: Наука и техника, 1978.
Рецензия
Просмотров: 450
Послать статью по эл. почте 