Математическое и компьютерное моделирование полупроводниковых систем различной размерности и элементов приборных структур на их основе
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2021-57-4-495-505
Анатацыя
В статье (в форме мини-обзора) отражены результаты выполненных на физическом факультете Белорусского государственного университета за последние 25 лет теоретических (и отчасти экспериментальных) исследований электрических, оптических и магнитных явлений в трехмерных, двумерных, одномерных и нульмерных системах и элементах приборных структур из германия, кремния, углерода и других химических элементов.
Ключ. словы
моделирование разноразмерных кристаллических систем,
водородоподобные (двухзарядные) атомы примесей,
трехзарядные точечные дефекты в полупроводниках,
ионизационное равновесие,
теория прыжковой миграции электронов и дырок по дефектам,
графен,
одностенные углеродные нанотрубки,
фуллерены,
элементы приборных структур
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 733
Паслаць артыкул па эл. пошце 