Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Пашыраны пошук

Спонтанное, стимулированное излучение и лазерная генерация в кристаллах и тонких пленках CuInSe2

https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-2-245-254

Анатацыя

Представлены результаты исследования спектров излучения кристаллов и тонких пленок CuInSe2 при непрерывном (2 Вт/см2) и наносекундном импульсном лазерном возбуждении в диапазоне плотности мощности возбуждения ~1–100 кВт/см2 и температурах 10–160 К. Обнаружено, что в кристаллах CuInSe2 стимулированное излучение возникает в спектральной области 1,033 эВ с минимальным уровнем пороговой накачки 9,8 кВт/см2, а при уровнях накачки 36–76 кВт/см2 наблюдается лазерное излучение. Установлено, что для тонких пленок CuInSe2, сформированных на стеклянных подложках с предварительно осажденным на стекло слоем молибдена (структура CuInSe2/Mo/стекло), характерно появление только стимулированного излучения в области энергий 1,014–1,097 эВ с минимальным уровнем пороговой накачки 30 кВт/см2 при температуре 10 К. Обсуждаются механизмы возникновения стимулированного и лазерного излучения в соединении CuInSe2.

Аб аўтарах

А. Мудрый
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь


В. Живулько
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь


О. Бородавченко
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь


М. Якушев
Институт физики металлов имени М. Н. Михеева Уральского отделения наук Российской академии наук
Расія


В. Павловский
Институт физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси
Беларусь


Е. Луценко
Институт физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси
Беларусь


Г. Яблонский
Институт физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси
Беларусь


Спіс літаратуры

1. Dielectric function of Cu(In,Ga)Se2-based polycrystalline materials / S. Minoura [et. al.] // J. Appl. Phys. – 2013. – Vol. 113, № 6. – P. 063505-1–063505-14. https://doi.org/10.1063/1.4790174

2. Optical properties and band gap energy of CuInSe2 thin films prepared by two-stage selenisation process / M. V. Yakushev [et. al.] // J. Phys. Chem. Solids. – 2003. – Vol. 64, № 9–10. – P. 2005–2009. https://doi.org/10.1016/S00223697(03)00089-1

3. Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 / S. Chichibu [et. al.] // J. Appl. Phys. – 1998. – Vol. 83, № 7. – P. 3678–3689. https://doi.org/10.1063/1.366588

4. Aida, Y. Cu-rich CuInSe2 solar cells with a Cu-poor surface / Y. Aida, V. Depredurand, J. K. Larsen // Prog. Photovolt. Res. Appl. – 2015. – Vol. 23, № 6. – P. 754–764. https://doi.org/10.1002/pip.2493

5. Efficiency improvement of near-stoichiometric CuInSe2 solar cells for application in tandem devices / T. Feurer [et. al.] // Adv. Energy Mater. – 2019. – Vol. 9, № 35. – P. 1901428-1–1901428-6. https://doi.org/10.1002/aenm.201901428

6. Effects of heavy alkali elements in Cu(In,Ga)Se2 solar cells with efficiencies up to 22.6 % / P. Jackson [et. al.] // Phys. Stat. Sol. PRL. – 2016. – Vol. 10, № 8. – P. 583–586. https://doi.org/10.1002/pssr.201600199

7. High excitation photoluminescence effects as a probing tool for the growth of Cu(In,Ga)Se2 / M. Moret [et. al.] // Proc. SPIE. – 2015. – Vol. 9358. – P. 9358-A1–9358-A7. https://doi.org/10.1117/12.2076938

8. Stimulated emission and lasing in Cu(In,Ga)Se2 thin films / I. E. Svitsiankou [et. al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2016. – Vol. 49, № 9. – P. 095106-1–095106-5. https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095106

9. Potassium fluoride postdeposition treatment with etching step on both Cu-rich and Cu-poor CuInSe2 thin film solar cells / F. Babbe [et. al.] // Phys. Rev. Mater. – 2018. – Vol. 2, № 10. – P. 105405-1–105405-9. https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.2.105405

10. Tomlinson, R. D. Fabrication of CuInSe2 single crystals using melt-growth techniques / R. D. Tomlinson // Solar Cells. – 1986. – Vol. 16. – P. 17–26. https://doi.org/10.1088/0379-6787(86)90072-4

11. Thermal expansion of CuInSe2 in the 11–1,073 K range: An X-ray diffraction study / W. Paszkowicz // Appl. Phys. A. – 2014. – Vol. 116, № 2. – P. 767–780. https://doi.org/10.1007/s00339-013-8146-9

12. Optical properties of high-quality CuInSe2 single crystals / A. V. Mudryi [et. al.] // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77, № 16. – P. 2542–2544. https://doi.org/10.1063/1.1308525

13. Magneto-photoluminescence study of radiative recombination in CuInSe2 single crystals / M. V. Yakushev [et. al.] // J. Phys. Chem. Solids. – 2003. – Vol. 64, № 9–10. – P. 2011–2016. https://doi.org/10.1016/S0022-3697(03)00090-8

14. Excitation power and temperature dependence of excitons in CuInSe2 / F. Luckert [et. al.] // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 111, № 9. – P. 093507-1–093507-8. https://doi.org/10.1063/1.4709448

15. Excited states of the excitons in CuInSe2 single crystals / M. V. Yakushev [et. al.] // Appl. Phys. Lett. – 2010. – Vol. 97, № 15. – P. 152110-1–152110-3. https://doi.org/10.1063/1.3502603

16. The hunt for the third acceptor in CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 absorber layers / F. Babbe et. al. // J. Phys. Condens. Matter. – 2019. – Vol. 31, № 42. – P. 425702-1–425702-9. https://doi.org./10.1088/1361-648X/ab2e24

17. Photoluminescence, stimulated and laser emission in CuInSe2 crystals / I. E. Svitsiankou [et. al.] // Appl. Phys. Lett. – 2021. – Vol. 119, № 21. – P. 212103-1–212103-5. https://doi.org/10.1063/5.0060076

18. Kawashima, T. Optical constants of CuGaSe2 and CuInSe2 / T. Kawashima, S. Adachi. // J. Appl. Phys. – 1998. – Vol. 84, № 9. – P. 5202–5209. https://doi.org/10.1063/1.368772


##reviewer.review.form##

Праглядаў: 611


Creative Commons License
Кантэнт даступны пад ліцэнзіяй Creative Commons Attribution 3.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)