СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
Аннотация
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.
При поддержке: Белорусский РФФИ
Об авторах
А. В. Мудрый
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Ф. Мофиднахаи
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. Д. Живулько
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. А. Зиновьев
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Россия
Россия
А. В. Двуреченский
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Россия
Россия
П. А. Кучинская
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Россия
Россия
Ж. В. Смагина
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Россия
Россия
Список литературы
1. Zinovyev V. A., Dvurechenskii A. V., Kuchinskya P. A., Armbrister V. A. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111, N 26. P. 265501-1-265501-5.
2. ChaisakulP., Marris-Morini D, Issella G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99, N 14. P. 141106-1-141106-3.
3. Двуреченский А. В., Якимов А. И. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73, № 1. С. 71-75.
4. GattiE., GrilliE., GuzziM. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 93, N 3. P. 031106-1-031106-3.
5. LiangD., Bewers J. E. // Nature Photonics. 2010. Vol. 4, N 8. P. 511-517.
6. Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Кудрявцев К. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 11. С. 1448-1452.
7. Кучинская П. А., Зиновьев В. А., Ненашев А. В. и др. // Изв. вузов. Сер. Материалы электрон. техники. 2011. № 4. С. 42-46.
8. Зиновьев В. А., Двуреченский А. В., Кучинская П. А. и др. // Автометрия. 2013. Т. 49, № 5. С. 6-12.
9. Kiravittaya S., Rastelli A., Schmidt O. G. // Rep. Prog. Phys. 2009. Vol. 72, N 4. P. 046502-1-046502-17.
10. Yakimov A. I., Bloshkin A. A., Dvurechenskii A. V. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81, N 11. P. 115434-1-115434-7.
11. Hartmann J. M., Gallas B., Zhang J., Harris J. J. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. 370-77.
12. Мудрый А. В., Мофиднахаи Ф., Короткий А. В. и др. // Приборы и методы измерений. 2012. Т. 1, № 4. С. 44-50.
Рецензия
Просмотров: 451
Послать статью по эл. почте 