Разработан способ получения областей определения функций глобальных зависимостей, основанный на уточненных аппроксимациях множества тайлов. Точное представление границ областей определения функций глобальных зависимостей позволяет избегать избыточных вычислений при выполнении коммуникационных операций и дает больше возможностей для распараллеливания зернистых алгоритмов.

 

 .

Получено представление специального класса интегралов по спиновым переменным через интегралы по антикоммутирующим переменным. Также рассматривается вычисление интегралов по спиновым и анти-коммутирующим переменным с помощью формул для гауссовых интегралов по антикоммутирующим переменным.

Исследованы погрешность аппроксимации математического ожидания одного класса случайных функционалов от гауссовского процесса и погрешность аппроксимации решения уравнения Бюргерса, возмущаемого гауссовским случайным процессом, которые основаны на использовании гауссовских хаотических разложений.

Доказывается теорема об общей структуре уравнений иерархии K₂. Определяется порядок подвижных полюсов решений. В явном виде строятся резонансные многочлены, определяется характер их корней.

В статье приведены некоторые факты из истории исследования построения экстремальных полиномов в областях, лежащих в комплексной плоскости. Основным результатом работы является одно из самых естественных обобщений на комплексный случай полиномов Чебышева, т. е. задача нахождения кубического полинома вида

z³ + az ² + bz + c

комплексного аргумента z, заданного на прямоугольнике D с вершинами в точках w + hi, -w + hi, -w -hi, w -hi (w > 0, h > 0), имеющего минимальную чебышевскую норму (экстремального полинома).

В работе установлена связь между количеством целочисленных многочленов второй и третьей степени ограниченной высоты и величиной дискриминантов этих многочленов.

В данной работе получены локальные признаки существования непересекающегося остовного дерева в геометрическом графе. Тем самым подтверждена гипотеза Ривера Кампо для почти всех геометрических графов.

В данной статье исследуется ослабленное условие регулярности Мангасаряна Фромовица (RMFCQ) и доказывается, что его выполнение влечет выполнение условия .R-регулярности (error bound property) без дополнительных требований существования непрерывных вторых производных для функций в ограничениях задачи.

Получены распределения и установлены свойства оценок параметров многомерно-матричной линейной эмпирической регрессии.

Рассматривается задача статистического отнесения произвольно распределенных многомерных наблюдений к классам, заданным своими обучающими выборками. Для принятия решений предложено использовать решающее правило, основанное на гистограммных оценках плотностей распределения вероятностей, описывающих классы. Проведено аналитическое исследование его эффективности, и указан способ статистического оценивания эффективности принимаемых решений по результатам экспериментов.

В статье проводится моделирование влияния основных параметров поглощающего слоя Сu_х1n_хZn_2-2хSе₂ на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев Сu_х1n_хZn_2-2хSе₂.

 

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.

Методом ИК-спектроскопии установлено, что в температурном интервале отжига дивакансий (200-275 °С) в облученных кислородосодержащих кристаллах кремния имеет место формирование двух полос поглощения, расположенных у 833,4 и 842,4 см^-1. В отличие от предыдущих исследований, где обе эти полосы были приписаны комплексу дивакансия-кислород V₂O, образующемуся путем захвата подвижных V₂ междоузельными атомами кислорода 0;, только полоса у 833,4 см^-1 может быть приписана данному дефекту. Относительная интенсивность полосы у 842,4 см^-1 существенно увеличивается в образцах, облученных нейтронами, по сравнению с образцами, облученными электронами. Сделано заключение, что эта полоса связана с комплексом тривакансия-кислород V₃0, образующимся путем захвата подвижных V₃атомами 0_i atoms.

Исследовано изменение элементного состава двухслойных мишеней под действием излучения рубинового лазера ГОР-100М в режиме свободной генерации с плотностью потока излучения от 10⁴ до 5-10⁵ Вт/см^-2. Элементный состав мишени до и после облучения исследовался с использованием рентгеновского спектрометра ElvaX. Показано, что при воздействии на тонкий (несколько мкм) слой никеля, нанесенный на подложку из титана, после облучения концентрация титана в приповерхностном слое значительно (в 1,5 раза и более) увеличивалась. Существенно, что концентрация титана монотонно увеличивалась с ростом плотности потока воздействующего лазерного излучения в указанном интервале. Аналогичные явления наблюдались и при воздействии лазерного излучения на тыльную сторону тонкой медной пластины с покрытием из никеля. Это свидетельствует об активной диффузии металла из подложки в покрытие в зоне импульсного нагревания исследованных образцов лазерным излучением.

Показано, что при учете солнечного давления лагранжевы треугольные точки либрации L4 и L5 не существуют, но существуют для каждого пробного тела две точки фотолибрации L4* и L5*, которые вместе с тяжелыми телами являются вершинами разносторонних треугольников с постоянными сторонами. Существование пробных тел с разной «парусностью» приводит к существованию линий фотолибрации.

К 80-летию со дня рождения

К 80-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения