СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОСЛОЕВ Ge/Si С ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫМИ ГРУППАМИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
Анатацыя
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены наноструктуры Ge/Si с близкорасположенными и взаимодействующими квантовыми точками Ge. Установлено, что при выборе подходящей скорости и температуры осаждения Ge могут быть образованы квантовые кольца Ge/Si с близкорасположенными квантовыми точками Ge. Рентгенодифракционным методом были определены параметры элементарной ячейки наноструктур Ge/Si. В спектрах фотолюминесценции при 4,2 К были обнаружены интенсивные полосы, обусловленные излучательной рекомбинацией экситонов в смачивающих слоях Ge и в квантовых точках Ge.
Аб аўтарах
А. Мудрый
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Ф. Мофиднахаи
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. Живулько
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. Зиновьев
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Расія
Расія
А. Двуреченский
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Расія
Расія
П. Кучинская
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Расія
Расія
Ж. Смагина
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова, Новосибирск
Расія
Расія
Спіс літаратуры
1. Zinovyev V. A., Dvurechenskii A. V., Kuchinskya P. A., Armbrister V. A. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111, N 26. P. 265501-1-265501-5.
2. ChaisakulP., Marris-Morini D, Issella G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99, N 14. P. 141106-1-141106-3.
3. Двуреченский А. В., Якимов А. И. // Изв. РАН. Сер. физ. 2009. Т. 73, № 1. С. 71-75.
4. GattiE., GrilliE., GuzziM. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 93, N 3. P. 031106-1-031106-3.
5. LiangD., Bewers J. E. // Nature Photonics. 2010. Vol. 4, N 8. P. 511-517.
6. Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Кудрявцев К. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 11. С. 1448-1452.
7. Кучинская П. А., Зиновьев В. А., Ненашев А. В. и др. // Изв. вузов. Сер. Материалы электрон. техники. 2011. № 4. С. 42-46.
8. Зиновьев В. А., Двуреченский А. В., Кучинская П. А. и др. // Автометрия. 2013. Т. 49, № 5. С. 6-12.
9. Kiravittaya S., Rastelli A., Schmidt O. G. // Rep. Prog. Phys. 2009. Vol. 72, N 4. P. 046502-1-046502-17.
10. Yakimov A. I., Bloshkin A. A., Dvurechenskii A. V. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81, N 11. P. 115434-1-115434-7.
11. Hartmann J. M., Gallas B., Zhang J., Harris J. J. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. 370-77.
12. Мудрый А. В., Мофиднахаи Ф., Короткий А. В. и др. // Приборы и методы измерений. 2012. Т. 1, № 4. С. 44-50.
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 457
Паслаць артыкул па эл. пошце 