Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 59, № 3 (2023) | Соединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Гайшун, Я. А. Косенок, В. В. Васькевич, О. И. Тюленкова, В. Е. Борисенко, Н. С. Ковальчук, А. Н. Петлицкий, С. В. Чумак | ||
| "... for bonding monocrystalline silicon wafers to produce «silicon–insulator–silicon» structures. A possibility ..." | ||
| № 4 (2014) | МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ ФОСФОРА И БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. И. Бринкевич, С. А. Вабищевич, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский | ||
| "... Properties of the surface layers of monocrystalline silicon wafers implanted with boron ..." | ||
| Том 55, № 2 (2019) | Влияние термического и импульсного лазерного отжига на фотолюминесценцию CVD-пленок нитрида кремния | Аннотация похожие документы |
| И. Н. Пархоменко, И. А. Романов, М. А. Моховиков, Л. А. Власукова, Г. Д. Ивлев, Ф. Ф. Комаров, Н. С. Ковальчук, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, Д. В. Шулейко, Ф. В. Кашаев | ||
| "... The light-emitting properties of Si-rich silicon nitride films deposited on the Si (100) substrate ..." | ||
| Том 54, № 3 (2018) | Светоизлучающие структуры на основе нестехиометрического нитрида кремния | Аннотация похожие документы |
| И. А. Романов, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Ф. Ф. Комаров, Н. С. Ковальчук, О. В. Мильчанин, М. А. Моховиков, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, Хонг-Ланг Лу | ||
| "... The two triple-layered SiO2 /SiNx /SiO2 structures with Si-rich and N-rich silicon nitride active ..." | ||
| Том 60, № 2 (2024) | Низкочастотный конденсатор с прыжковой электропроводностью рабочего вещества (на примере a-Si:H) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, И. И. Аникеев, С. А. Вырко | ||
| "... :H (amorphous hydrogenated silicon) layer separated from the metal plates by 0.3 μm thick dielectric layers ..." | ||
| Том 54, № 2 (2018) | ИНЖЕКЦИОННЫЙ ОТЖИГ КОМПЛЕКСА СОБСТВЕННОЕ ДИМЕЖДОУЗЛИЕ – КИСЛОРОД В КРЕМНИИ p-ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ф. Макаренко, С. Б. Ластовский, Э. Гаубас, Е. Павлов, М. Молл, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин | ||
| "... in silicon has been studied. The complex has been formed by irradiation of epitaxial boron-doped n+–p diode ..." | ||
| № 3 (2017) | ИНЖЕКЦИОННЫЙ ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ф. Макаренко, С. Б. Ластовский, А. С. Якушевич, М. Молл, И. Пинтилие | ||
| "... on the annealing of various interstitial defects has been studied in silicon irradiated with α-particles. It has ..." | ||
| № 1 (2016) | ОСОБЕННОСТИ ТРАНСФОРМАЦИИ КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ ПРИ ОТЖИГЕ В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 450–700 °C: ДАННЫЕ ИК-ПОГЛОЩЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. А. Толкачева, О. Н. Холод, Л. И. Мурин | ||
| "... -grown silicon irradiated with fast electrons or neutrons upon subsequent high temperature annealing at T ..." | ||
| Том 56, № 4 (2020) | Локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов в кристаллическом кремнии при комнатной температуре | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин | ||
| "... The isotopic content of natural silicon (28Si (92.23 %), 29Si (4.68 %) и 30Si (3.09 %)) affects ..." | ||
| Том 54, № 1 (2018) | ЭРОЗИЯ ПОВЕРХНОСТИ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ ЦИРКОНИЯ И КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ГЕЛИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Углов | ||
| № 2 (2014) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВАКАНСИОННО-КИСЛОРОДНЫХ КОМПЛЕКСОВ В ОБЛУЧЕННЫХ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ И НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИК-ПОГЛОЩЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин | ||
| "... ) в облученных кислородосодержащих кристаллах кремния имеет место формирование двух полос поглощения ..." | ||
| № 4 (2015) | ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-СТРУКТУР НА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. П. Коршунов, Н. Е. Жданович, В. А. Гуринович, С. В. Лукша | ||
| "... of high-voltage (4.5 kV) silicon diode p-n-structures based on nuclear-doped silicon. During the research ..." | ||
| Том 57, № 2 (2021) | Влияние технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. А. Пилипенко, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский | ||
| "... by the TXRF method (for Fe < 4.0 · 109 at/cm2). In series B devices, the entire surface of the wafers ..." | ||
| Том 57, № 4 (2021) | Математическое и компьютерное моделирование полупроводниковых систем различной размерности и элементов приборных структур на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский | ||
| "... , silicon, carbon and other chemical elements carried out at the Faculty of Physics of Belarusian State ..." | ||
| Том 58, № 4 (2022) | Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников | ||
| "... gap values of 3.0 eV (MgGeN2) and 1.7 eV (ZnGeN2), while the silicon-based compounds are indirect-gap ..." | ||
| Том 58, № 3 (2022) | Моделирование накопления заряда в кремниевых фотоэлектронных умножителях под воздействием мягкого рентгеновского излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Огородников | ||
| "... A model of the cell structure of silicon photomultipliers (SiPM) is herein created in the software ..." | ||
| Том 60, № 2 (2024) | Оптические и электрофизические свойcтва нитридных TiAlSiN и карбонитридных TiAlSiCN покрытий: влияние режимов реактивного магнетронного нанесения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Константинов, Ф. Ф. Комаров, И. В. Чижов, В. А. Зайков | ||
| "... sputtering method, the nanostructured TiAlSiN and TiAlSiCN coatings were formed on the substrates of silicon ..." | ||
| Том 60, № 3 (2024) | Влияние гамма-облучения на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, Ю. В. Богатырев, А. М. Лемешевская, В. С. Цымбал, С. В. Шпаковский | ||
| "... characteristic (IV) of silicon photomultiplier (SiPMs) with 1004 cells, which themselves were optically isolated ..." | ||
| Том 59, № 3 (2023) | Структура и микромеханические свойства покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN, сформированных методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Константинов, Ф. Ф. Комаров, И. В. Чижов, В. А. Зайков | ||
| "... magnetron sputtering on various types of substrates: single-crystal silicon (100) and Titanium Grade2 ..." | ||
| Том 54, № 3 (2018) | Влияние радиационно-термических дефектов на характеристики p-n-p-n-структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. П. Коршунов, Н. Е. Жданович, В. А. Гуринович | ||
| "... MeV and heat treatment on the static and dynamic characteristics of silicon thyristor p-n-p-n ..." | ||
| 1 - 20 из 20 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
