Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

СТАЦИОНАРНАЯ ПРЫЖКОВАЯ МИГРАЦИЯ БИПОЛЯРОНОВ ПО «МЯГКИМ» ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В ЧАСТИЧНО РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Полный текст:

Аннотация

Теоретически рассмотрена прыжковая миграция биполяронов (пар электронов) по неподвижным дефектам одного сорта (типа) в трех зарядовых состояниях (-1, 0, + 1) в частично разупорядоченных полупроводниках. Считается, что эти дефекты имеют отрицательную энергию корреляции и «стабилизируют» уровень Ферми в окрестности середины энергетической щели (запрещенной зоны) полупроводника. Записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности постоянного прыжкового тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). Получено аналитическое выражение для длины экранирования внешнего стационарного электрического поля в полупроводнике. Показано, что концентрация экранирующих поле подвижных электрических зарядов равна концентрации биполяронов.

Об авторах

Н. А. Поклонский
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


С. А. Вырко
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


А. И Ковалев
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Radiation effects in semiconductors / еd. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011.

2. БургуэнЖ., ЛанноМ. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М., 1985.

3. Козлов В. А., Козловский В. В. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 7. С. 769-795.

4. VogelE. M. // Nat. Nanotech. 2007. Vol. 2, N 1. P. 25-32.

5. Rogalski A. // Progr. Quant. Electron. 2012. Vol. 36, N 2/3. P. 342-473.

6. Nanomagnetism and spintronics / еd. by T. Shinjo. Amsterdam, 2014.

7. Coates R., MitchellE. W. J. // Adv. Phys. 1975. Vol. 24, N 5. P. 593-644.

8. Lugakov P. F., Lukashevich T. A., Shusha V. V. // Phys. Status Solidi A. 1982. Vol. 74, N 2. P. 445-452.

9. Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031-1040.

10. McPherson M. // Physica B. 2004. Vol. 344, N 1/4. P. 52-57.

11. Поклонский Н. А. Международная зимняя школа по физике полупроводников: науч. программа и тез. докл., С.-Петербург Зеленогорск, 1-5 марта 2007 г. СПб., 2007. С. 43-47.

12. Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // Физика твердого тела. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805-1809.

13. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420-1425.

14. Ng K. K. Complete guide to semiconductor devices. New York, 2002.

15. Zimmermann H. K. Integrated silicon optoelectronics (Springer series in optical sciences. Vol. 148). Heidelberg, 2010.

16. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Поденок С. Л. Статистическая физика полупроводников. М., 2005.

17. Поклонский Н. А., Вырко С. А., ЛапчукН. М. Полупроводники: основные понятия. Минск, 2002.

18. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977.

19. Гершензон Е. М., Мельников А. П., Рабинович Р. И., Серебрякова Н. А. // Успехи физ. наук. 1980. Т. 132, № 2. С. 353-378.

20. Драбкин И. А., Мойжес Б. Я. // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15, № 4. С. 625-648.

21. Аморфные полупроводники / под ред. М. Бродски. М., 1982.

22. Ионов С. П. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1985. Т. 49, № 2. С. 310-325.

23. Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А. В., Серегин П. П. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 1. С. 3-23.

24. Забродский А. Г., Немов С. А., Равич Ю. И. Электронные свойства неупорядоченных систем. СПб., 2000.

25. PollakM. // Phys. Status Solldl B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295-304.

26. Stallinga P. // Adv. Mater. 2011. Vol. 23, N 30. P. 3356-3362.

27. Anderson P. W. // Phys. Rev. Lett. 1975. Vol. 34, N 15. P. 953-955.

28. Богословский Н. А., Цэндин К. Д. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 5. С. 577-608.

29. Litvinov V V., Palchik G. V., Urenev V I. // Phys. Status Solldl A. 1988. Vol. 108, N 1. P. 311-321.

30. Каширина Н. И., Лахно В. Д. // Успехи физ. наук. 2010. Т. 180, № 5. С. 449-473.

31. КрасиньковаМ. В., Мойжес Б. Я. // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934-1942.

32. Поклонский Н. А., Ковалев А. И., Вырко С. А. // Докл. НАН Беларуси. 2014. Т. 58, № 3. С. 37-43.


Просмотров: 126


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)