Preview

Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук

Расширенный поиск

СТАЦИОНАРНАЯ ПРЫЖКОВАЯ МИГРАЦИЯ БИПОЛЯРОНОВ ПО «МЯГКИМ» ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В ЧАСТИЧНО РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Аннотация

Теоретически рассмотрена прыжковая миграция биполяронов (пар электронов) по неподвижным дефектам одного сорта (типа) в трех зарядовых состояниях (-1, 0, + 1) в частично разупорядоченных полупроводниках. Считается, что эти дефекты имеют отрицательную энергию корреляции и «стабилизируют» уровень Ферми в окрестности середины энергетической щели (запрещенной зоны) полупроводника. Записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности постоянного прыжкового тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). Получено аналитическое выражение для длины экранирования внешнего стационарного электрического поля в полупроводнике. Показано, что концентрация экранирующих поле подвижных электрических зарядов равна концентрации биполяронов.
Просмотров: 702


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-2430 (Print)
ISSN 2524-2415 (Online)