STATIONARY HOPPING MIGRATION OF BIPOLARONS VIA “SOFT” POINT DEFECTS IN PARTLY DISORDERED SEMICONDUCTORS
Abstract
Hopping migration of blpolarons (electron pairs) via immobile defects of one kind in three charge states (-1, 0, +1) in partly disordered semiconductors is considered theoretically. They are considered to have negative correlation energy and to “stabilize” the Fermi level in the vicinity of the middle of the band gap of a semiconductor. The expression is written for the drift and diffusion components of the dc current density of blpolarons hopping from defects in the charge states (-1) to those in the charge states (+1). The analytical expression for screening length of an external stationary electric field is found. It is shown that the concentration of mobile electric charges responsible for electric field screening is equal to the blpolaron concentration.
About the Authors
N. A. Poklonski
Belarusian State University, Minsk
Belarus
Belarus
S. A. Vyrko
Belarusian State University, Minsk
Belarus
Belarus
A. I. Kovalev
Belarusian State University, Minsk
Belarus
Belarus
References
1. Radiation effects in semiconductors / еd. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011.
2. БургуэнЖ., ЛанноМ. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М., 1985.
3. Козлов В. А., Козловский В. В. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 7. С. 769-795.
4. VogelE. M. // Nat. Nanotech. 2007. Vol. 2, N 1. P. 25-32.
5. Rogalski A. // Progr. Quant. Electron. 2012. Vol. 36, N 2/3. P. 342-473.
6. Nanomagnetism and spintronics / еd. by T. Shinjo. Amsterdam, 2014.
7. Coates R., MitchellE. W. J. // Adv. Phys. 1975. Vol. 24, N 5. P. 593-644.
8. Lugakov P. F., Lukashevich T. A., Shusha V. V. // Phys. Status Solidi A. 1982. Vol. 74, N 2. P. 445-452.
9. Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031-1040.
10. McPherson M. // Physica B. 2004. Vol. 344, N 1/4. P. 52-57.
11. Поклонский Н. А. Международная зимняя школа по физике полупроводников: науч. программа и тез. докл., С.-Петербург Зеленогорск, 1-5 марта 2007 г. СПб., 2007. С. 43-47.
12. Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // Физика твердого тела. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805-1809.
13. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420-1425.
14. Ng K. K. Complete guide to semiconductor devices. New York, 2002.
15. Zimmermann H. K. Integrated silicon optoelectronics (Springer series in optical sciences. Vol. 148). Heidelberg, 2010.
16. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Поденок С. Л. Статистическая физика полупроводников. М., 2005.
17. Поклонский Н. А., Вырко С. А., ЛапчукН. М. Полупроводники: основные понятия. Минск, 2002.
18. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977.
19. Гершензон Е. М., Мельников А. П., Рабинович Р. И., Серебрякова Н. А. // Успехи физ. наук. 1980. Т. 132, № 2. С. 353-378.
20. Драбкин И. А., Мойжес Б. Я. // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15, № 4. С. 625-648.
21. Аморфные полупроводники / под ред. М. Бродски. М., 1982.
22. Ионов С. П. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1985. Т. 49, № 2. С. 310-325.
23. Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А. В., Серегин П. П. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 1. С. 3-23.
24. Забродский А. Г., Немов С. А., Равич Ю. И. Электронные свойства неупорядоченных систем. СПб., 2000.
25. PollakM. // Phys. Status Solldl B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295-304.
26. Stallinga P. // Adv. Mater. 2011. Vol. 23, N 30. P. 3356-3362.
27. Anderson P. W. // Phys. Rev. Lett. 1975. Vol. 34, N 15. P. 953-955.
28. Богословский Н. А., Цэндин К. Д. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 5. С. 577-608.
29. Litvinov V V., Palchik G. V., Urenev V I. // Phys. Status Solldl A. 1988. Vol. 108, N 1. P. 311-321.
30. Каширина Н. И., Лахно В. Д. // Успехи физ. наук. 2010. Т. 180, № 5. С. 449-473.
31. КрасиньковаМ. В., Мойжес Б. Я. // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934-1942.
32. Поклонский Н. А., Ковалев А. И., Вырко С. А. // Докл. НАН Беларуси. 2014. Т. 58, № 3. С. 37-43.
Review
Views: 668
Email this article 