ИССЛЕДОВАНИЕ ВАКАНСИОННО-КИСЛОРОДНЫХ КОМПЛЕКСОВ В ОБЛУЧЕННЫХ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ И НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИК-ПОГЛОЩЕНИЯ

Аннотация

Методом ИК-спектроскопии установлено, что в температурном интервале отжига дивакансий (200-275 °С) в облученных кислородосодержащих кристаллах кремния имеет место формирование двух полос поглощения, расположенных у 833,4 и 842,4 см^-1. В отличие от предыдущих исследований, где обе эти полосы были приписаны комплексу дивакансия-кислород V₂O, образующемуся путем захвата подвижных V₂ междоузельными атомами кислорода 0;, только полоса у 833,4 см^-1 может быть приписана данному дефекту. Относительная интенсивность полосы у 842,4 см^-1 существенно увеличивается в образцах, облученных нейтронами, по сравнению с образцами, облученными электронами. Сделано заключение, что эта полоса связана с комплексом тривакансия-кислород V₃0, образующимся путем захвата подвижных V₃атомами 0_i atoms.