ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGaS2, ДОПИРОВАННЫХ Со и Yb
Аннотация
Проведены исследования электропроводности и диэлектрических характеристик монокристаллов TlGaS2, TlGa0,999Yb0,001S2 и TlGa0,99 Co0,01S2 в интервале температур 150–320 К на частотах измерительного поля 103 –106 Гц. Определены значения обобщенной энергии активации основных носителей заряда в этих кристаллах. Показано, что абсолютные значения изученных характеристик возрастают при увеличении температуры. На кривых температурной зависимости диэлектрической проницаемости исследуемых кристаллов обнаружены аномалии в виде широких максимумов, свидетельствующие о наличии структурных превращений в них в области температур ~ 170–250 К. Выявлена дисперсия диэлектрических свойств исследованных монокристаллов: с ростом частоты значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а удельной электропроводности – увеличиваются. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 кобальтом и иттербием приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и увеличению значений электропроводности.
Об авторах
В. Г. Гуртовой
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
А. У. Шелег
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
С. Н. Мустафаева
Институт физики НАН Азербайджана, Баку
Азербайджан
Азербайджан
Э. М. Керимова
Институт физики НАН Азербайджана, Баку
Азербайджан
Азербайджан
Список литературы
1. Delgado G. E., Mora A. J., Pérez F. V. et. al. // Physica B: Condens. Matter. 2007. Vol. 391, N 2. P. 385–388.
2. Henkel W., Hochheimer H. D., Carlone C. et. al. // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 26, N 6. P. 3211–3221.
3. Плющ О. Б., Шелег А. У. // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 5. С. 873–877.
4. Боровой Н. А., Гололобов Ю. П., Исаенко Г. Л. и др. // Физика твердого тела. 2009. Т. 51, № 11. С. 2229–2232.
5. Шелег А. У., Плющ О. Б., Алиев В. А. // Физика твердого тела. 1994. Т. 36, № 1. С. 226–230.
6. McMorrow D. F., Cowley R. A., Hatton P. D. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. Vol. 2, N 16. P. 3699.
7. Крупников Е. С., Абуталыбов Г. И. // Физика твердого тела. 1992. Т. 34, № 9. С. 2964–2966.
8. Мальсагов А. У., Кульбужиев Б. С., Хамхоев Б. М. // Неорган. материалы. 1989. Т. 25, № 2. С. 216–220.
9. Açikgöz M. // Tur. J. Phys. 2008. Vol. 32. P. 145–150.
10. Мустафаева С. Н. // Неорган. материалы. 2009. Т. 45, № 6. С. 659–662.
11. Karabulut O., Yilmaz K., Boz B. // Cryst. Res. Technol. 2011. Vol. 46, N 1. P. 79–84.
12. Kerimova É. M., Mustafaeva S. N., Asadov Y. G. et. al. // Crystallogr. Rep. 2005. Vol. 50, N 1. P. S122–S123.
13. Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y. et. al. // Phys. Status Solidi A. 2006. Vol. 203, N 11. P. 2666–2669.
Рецензия
Просмотров:
766
Послать статью по эл. почте 